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1)  Depletion Layer Capacitance
耗尽层电容
1.
First,inversion layer capacitance and depletion layer capacitance were defined,analyzed and calculated,respectively.
分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较。
2)  depletion layer capacitance Cs
耗尽层电容C_s
3)  depletion layer capacitance Cm
耗尽层电容C_m
4)  surface depletion-layer capacitance
表面耗尽层电容
5)  emitter depletion capacitance
发射结耗尽层电容
6)  collector depletion layer
集电极耗尽层
补充资料:电容和电容器
      电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。
  
  孤立导体的电容  把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比,Q/U与Q无关,仅取决于孤立导体的形状和大小,它反映了孤立导体容纳电荷的能力,因而定义为孤立导体的电容,用C表示,C=Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉,简称法,用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体,其电容只有709×-6法,所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
  
  如果把另一个带负电的导体移近孤立导体,后者的电位就下降,可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关,还取决于周围其他导体的相对位置。
  
  电容器  如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围,则因空腔的屏蔽作用,AB之间的电位差不受腔外带电体的影响,A所带的电量同A及B的电位差成比例。
  实际上,腔体封密的限制并不太高,即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板),如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量,则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器,这对导体则称为电容器的一对极板。
  
  把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q,电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C=Q/U。电容是电容器的特性常数,取决于两导体的形状、大小、相对位置;当导体间充有绝缘材料时,电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关,则电容C将随所加电压U而变化,这种电容器叫做非线性电容器。
  
  电容的倒数1/C=U/Q=S叫做倒电容。
  
  简单电容器的电容公式  如表。
  
  电容器的并联和串联  n个电容器并联如图a,它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q=,则 C=,即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
  
  n个电容器串联如图b,它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=,则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
  
  电容器的性能参数和用途  电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
  
  实际电容器的种类繁多,用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数,以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器,以提供交流旁路稳定电压,用作级间交流耦合,以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
  

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参考词条