1) Nonlinear wave
非线性波动
1.
The nonlinear waves of inviscid fluids in an elastic tube are studied.
研究弹性管内无粘流体的非线性波动，当弹性直管中存在局部凸块时，导出其双向传播的修正Ｂｏｕｓｓｉｎｅｓｑ方程及单向传播的修正ＫｄＶ方程。
2.
In this paper,the higher-order asymptotic solution to the Cauchy problem of a nonlinear wave equation is found by using a computer algebra-perturbation method.
本文采用计算机代数－摄动法讨论一个非线性波动方程的Ｃａｙｃｈｙ问题高阶渐近解，将特征坐标变形与重整化方法相结合，消除直接展开解的长期项，并利用计算机代数软件进行符号运算，得到该问题的四项摄动解，所得的渐近解与数值解的比较表明：对较小的ε，两者相吻合；对较大的ε（如ε＝０。
2) nonlinear wave equation
非线性波动方程
1.
Solitary wave solutions and periodic cosine wave solutions of nonlinear wave equations;
非线性波动方程的孤波解及余弦周期波解
2.
Bounded traveling waves of a nonlinear wave equation;
一类非线性波动方程的有界行波解
3.
Solving two kinds of nonlinear wave equations by variable separation approach;
两类非线性波动方程的形式变量分离法求解
3) nonlinear wave equations
非线性波动方程
1.
Using symbolic computation to obtain exact solitary wave solutions of nonlinear wave equations;
用符号计算求解非线性波动方程的精确孤波解
2.
Initial boundary value problem for a class of strongly damped nonlinear wave equations;
一类强阻尼非线性波动方程的初边值问题
3.
The Dirichlet initial boundary value problem is studied for a class of nonlinear wave equations of fourth order with dispersive and dissipative terms on a bounded domain in n-dimensional space,where the sign of semilinear term f(u) is the same as u and satisfies certain growth conditions.
研究一类具有色散项与耗散项的四阶非线性波动方程在n维空间中有界域上的Dirichlet初边值问题。
4) the nonlinear kinematic wave
非线性运动波法
1.
By combining the hydraulics and hydrology method,three mathematic models of the dynamic wave,the nonlinear kinematic wave and the multilinear Muskingum method are developed and the key issues of these models are expatiated particularly in this paper.
本文采用水力学和水文学相结合的途径,建立了三种排水管网系统的数学模型,动力波法、非线性运动波法、改进的马斯京根法,并对具体的方法给出详尽的推导。
5) nonlinear wave analysis
非线性波动分析
6) Nonlinear Wave Systems
非线性波动系统
1.
The Instabilities of Nonlinear Wave Systems;
非线性波动系统解的不稳定性质
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条