1) Gunn oscillator
耿氏振荡器
1.
Gunn oscillator plays an important role in millimeter system actually and it is widely used due to its advantages such as low AM noise.
最后,利用以上对内部和外部电路的辅助分析,设计了一个砷化镓耿氏振荡器,其在112GHz有2mW左右的输出功率。
2) Gunn effect oscillator
耿氏效应振荡器
3) gunn diode oscillator
耿氏二极管振荡器
4) Gunn oscillation element
耿氏振荡元件
5) Chua's oscillator
蔡氏振荡器
6) Wen-bridge oscillator
文氏振荡器
补充资料：耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件是利用耿氏效应制作的一种能产生微波振荡的负阻器件。1963年Gunn首次报道了n型砷化镓单晶具有负阻特性的实验结果，证实了两年前Ridley等从理论上预期获得半导体负阻特性的可能性。此后人们开发出了具有实用价值的耿氏器件。耿氏器件除了可由砷化镓材料制作，也可用磷化铟、碲化镉、硒化锌或某些三元合金材料制备，其中砷化镓最易制成高纯材料，应用最广。
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参考词条