2) gunn effect device
耿氏效应掐
3) gunn effect device
耿氏效应器件
4) gunn effect diode
耿氏效应二极管
5) Gunn effect oscillator
耿氏效应振荡器
6) gunn effect integrated circuit
耿氏效应集成电路
补充资料:耿氏效应(Gunneffect)
耿氏效应(Gunneffect)
当在n型砷化镓单晶两端制作欧姆接触,并加上高电场后,发现当外加电场达到每厘米几千伏特的临界值时,出现很强的电流振荡现象,其频率在微波范围,这个现象称为耿氏效应。耿氏效应是电子在导带能谷间的转移引起的。当外加电场低于临界值时,电子主要占据在导带中能量最低的能谷中。如果在能量差别不大的较高能量处存在另一个能谷,并且高能谷中电子的迁移率低于低能谷电子的迁移率,则当电场超过临界值,电子从低能谷向高能谷转移时,使电子的平均迁移率降低,从而表现出负微分电阻。
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参考词条