1) heavily doped region
浓硼扩散区
1.
This thesis puts forward a new kind of method of inductor fabrication, whose internal down-lead adopts ohm contact formed by the boron heavily doped region and the Au evaporated.
本文提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。
2) heavy boron-diffusion
浓硼扩散
3) deep boron diffusion
高浓度硼深扩散
1.
Research on deep boron diffusion etch-stop layer silicon wafer process;
高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究
4) Boron out-diffusion
硼外扩散
5) boron penetration
硼扩散
1.
In addition,the effect of boron penetration on gate oxide was investigated.
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 。
6) diffusion boriding
扩散硼化
补充资料：浓差扩散
分子式：
CAS号：
性质：由浓度差引起的分子扩散。分子扩散是指两种或两种以上物质由于分子运动产生相互渗透而形成均一的混合物或溶液的过程。大多数情况下分子扩散的推动力就是两点之间的浓度差。
CAS号：
性质：由浓度差引起的分子扩散。分子扩散是指两种或两种以上物质由于分子运动产生相互渗透而形成均一的混合物或溶液的过程。大多数情况下分子扩散的推动力就是两点之间的浓度差。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条