1) localizaton remainder
局部化剩余
2) Colocalization
余局部化
1.
In this paper,by using F-projective module,the concrete form of colocalization of module M relative cohereditary torsion pair(T,F)is constructed.
利用F-投射模给出模M的关于余遗传挠对(T,F)的余局部化的具体形式P/c(K),其中P是M的投射盖,K是h:P→M的核,c是幂等根函子c:Mod-A→Mod-A,使得M∈T c(M)=M。
3) nonlocal residuals
局部化残余
4) remnant polarization
剩余极化
1.
The highest remnant polarization 2Pr .
用溶胶-凝胶法制备了钛酸锶铋层状钙钛矿结构(SBTi)铁电陶瓷,研究了不同烧结温度对其显微结构和电性能的影响,分析了相关机理,发现1100℃烧结样品的晶粒发育比较完全,居里温度为520℃;压电常数d33和剩余极化强度2Pr较大,分别为9×10-12C/N和2。
2.
Under the electric filed of 125 kV/cm the remnant polarization (2P_(r)) of .
在测量电场强度为125kV/cm时,样品A和样品B的剩余极化(2Pr)分别为5。
3.
Vanadium-doping with appropriate content enlarges the remnant polarization (2P_ r ) and enhances the electric breakdown voltage of SrBi_ 4 Ti_ 4 O_ 15 (SBTi).
适量的钒掺杂,大大增加了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电材料的剩余极化2Pr,并改善了材料的耐压性能。
5) remanent polarization
剩余极化
1.
From the measurement of D-E hysteresis loops using RT6000HVS system,the remanent polarization and coercive field of SrBi 4Ti 4O 15 ceramic were found to be larger than 7μC/cm 2 and 73kV/cm respectively,and the sat.
对于SrBi4Ti4O1 5陶瓷施加 12 0kV cm的电场仍无法得到饱和的回线 ,此时的剩余极化和矫顽场分别约为 7μC cm2 和 73kV cm 。
2.
80)Ti_3O_(12)) films exhibited well-saturated polarization-electric field(P-E) switching curves with the remanent polarization(P_r) of 27 μC/cm~2 an.
80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH z下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(Ec)分别达到27μC/cm2和70 kV/cm。
3.
80 has the largest remanent polarization.
80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。
6) residual culture
剩余文化
补充资料：幕剩余和非剩余的分布
幕剩余和非剩余的分布
istribution of power residues and non-residues
幕剩余和非剩余的分布【业州h面阅of钾哪曰拙抽璐.目叻一砚浦山.;钾〔nPe门e月e“.e eTeneHI.以圈“，e佃I..日‘网吧”.] 在数1，…，m一1中，使得同余方程 yn三x(m团功)在整数中可解(或不可解)的值x的分布.在模为素数P的情形下，对幕剩余和非剩余的分布问题已经作了最充分的研究.设q二g.cd.(。，P一l).那么，同余方程y’三xo议刃P)对集合l，…，P一l中的(p一l)/q个值x可解，而对其余的(q一l)(p一l)/q个值不可解(见二项同余式(t场0一nnco川犷比泊Ce)).但是，对这些值在数1，…，p一1中如何分布知道得比较少. 关于幕剩余的第一个结果是C.F.C冶理铝(见【1))在1796年得到的.从那时起，直到H .M .B捆or，及oB的工作之前，关于幕剩余和非剩余的分布问题只是得到了一些孤立的特殊的结果.1915年B朋。rPa八曲(见【21)对幂剩余和非剩余的分布，及在数l，…，p中模P的原根(p比拍tive IDot)得到了一系列一般的结果.特别地，对模p的最小二次非剩余Nmi。得到了上界估计 N山<夕‘/(功)(hP)’，以及对模p的最小原根嘛得到了上界估计 嘛(2，‘石In户，其中火是p一1的不同的素因数的个数. 此外，他对二次剩余和非剩余的分布提出了一些假设〔见确.印期.假设(V臼10即目ovh典幻t坛‘留))，这推动了这一领域内的一系列研究.幻.B.月均盯田K(!3])证明了:对充分大的N，在区间【N‘，Nl中N面>犷的素数P的个数不超过某个仅与。>0有关的常数C(的.这样，使得凡如>犷的素数p(如果存在的话)是非常稀少的.关于肠阳。印胡曲假设的工作的另一有意义的一步是D.A Bux咨出(〔41)的定理:对任意给定的充分小的占>0，相邻的二次非剩余之间的最大距离d(川满足不等式 d(P)‘A(占)夕’/4+占.特别地，可推出 蠕(B(。);，/叼‘)+。在这些不等式中，常数A(的，B(的仅依赖于占，而和P无关.B也渗溺定理的证明是十分复杂的，它基于关于超椭圆同余方程 yZ‘f(x)(1在对p)的解数的Ha整℃一W已il定理，这定理的证明孺要抽象代数几何的技巧.关于Bux誉，定理的简单说明见【51，【6〕.
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参考词条