1) avalanche breakdown
雪崩击穿
1.
The simulation analysis indicates that with this structure the avalanche breakdown voltage of RF power transistors can be increased to be over 90% of that for an ideal parallel .
模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 。
3) Tube avalanche breakdown
管道雪崩击穿
4) avalanche breakdown voltage
雪崩击穿电压
1.
This article elaborates how to choose the right MOSFET according to the RDS(ON),thermal properties,avalanche breakdown voltage and switching performance indicators.
讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
5) avalanche model
雪崩击穿模型
6) electron avalanche breakdown
电子雪崩击穿
补充资料：雪崩击穿（avalanchebreakdown）
雪崩击穿（avalanchebreakdown）
当反向偏压很大时，势垒区中的电场很强，因而通过势垒区的电子和空穴可以在电场作用下获得很大的动能，当能量足够大时，和晶格碰撞而使价带电子激发到导带，产生新的电子-空穴对，这种现象称为“碰撞电离”。新生的电子-空穴以及原有的电子和空穴，在电场作用下，又可重新获得足够的能量，再次和晶格碰撞而产生电子-空穴对。如此继续下去，载流子增加犹如“雪崩”的特性，称为载流子倍增效应。由于倍增效应，使反向电流迅速增加从而发生击穿，这就是雪崩击穿的机理。雪崩击穿除与势垒区中电场有关外，还与势垒区宽度有关。势垒区宽的易发生雪崩击穿。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条