1) avalanche impact force
雪崩冲击力
2) avalanche breakdown
雪崩击穿
1.
The simulation analysis indicates that with this structure the avalanche breakdown voltage of RF power transistors can be increased to be over 90% of that for an ideal parallel .
模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 。
5) Tube avalanche breakdown
管道雪崩击穿
6) avalanche breakdown voltage
雪崩击穿电压
1.
This article elaborates how to choose the right MOSFET according to the RDS(ON),thermal properties,avalanche breakdown voltage and switching performance indicators.
讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
补充资料：标准操作冲击电压波形(见冲击电压发生器)
标准操作冲击电压波形(见冲击电压发生器)
standard switching impulse voltage waveform
b .oozhun CooZuo ChongJld，onyo boxlng标准操作冲击电压波形(standard switchingimpulse voltage waveform)见冲击电压发生器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条