1) total-reflection vanishing light
全反射消光
2) extraordinary light total reflection
e光全反射
1.
The extraordinary light total reflection angle formula of negative uniaxial crystal with the optical axis in incidence plane;
光轴在入射面内的负单轴晶体e光全反射角公式
2.
The extraordinary light total reflection angle formula of positive uniaxial crystal for the op- tical axis in incidence plane is deduced by using Huygens principle:i=arcsin 1/n ((n_e~2-n_o~2)sin~2α-n_o~2)~(1/2).
用惠更斯作图法推导光轴在入射面内的正单轴晶体e光全反射角公式：i=arcsin(1/n)((n_e~2-n_o~2)sin~2α+n_o~2)~(1/2),它与光轴在入射面内的负单轴晶体e光全反射角公式形式完全相同；所以光轴在入射面内的单轴晶体e光全反射角公式为i= arcsin(1/n)((n_e~2-n_o~2)cos~2α+n_e~2)~(1/2)=arcsin(1/n)(n_e~2-n_o~2)sin~2α+n_o~2)~(1/2)(简称“何波公式”)。
3) Optical Total Reflection
光学全反射
4) ATR fiber
全反射光纤
补充资料：全反射X射线荧光分析
分子式：
CAS号：
性质：20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束，以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体（低通能量滤波器）时，低能X射线进行全反射，高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减，降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品，激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光，未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测，实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射，使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上，大大降低了检出限，对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10～10-12g。此外还具有试样用样量少（μL或μg级）；可测定的元素和浓度范围广，除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测；基体效应可以忽略；制样简便等优点。
CAS号：
性质：20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束，以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体（低通能量滤波器）时，低能X射线进行全反射，高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减，降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品，激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光，未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测，实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射，使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上，大大降低了检出限，对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10～10-12g。此外还具有试样用样量少（μL或μg级）；可测定的元素和浓度范围广，除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测；基体效应可以忽略；制样简便等优点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条