1)  CN x
CNx
1.
CN x thin films with a high nitrogen content were prepared on ITO conductive glass substrates by cathode electrodeposition, using dicyandiamide(C 2H 4N 4) in acetone as the precursors.
采用液相电化学沉积法 ,以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液 ,以镀有 ITO(铟锡氧化膜 )的导电玻璃为衬底制备了 CNx 薄膜 。
2.
CN x thin films were synthesized on Si(001) at different substrate temperatures( t s=room temperature, 350, 500 ℃) by R.
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 。
2)  CN x
CN_x
3)  CN_x film
CN_x薄膜
1.
CN_x films were prepared by DC and RF magnetron sputtering with W18Cr4V high-speed steel and YG8 hard alloy underlay.
分别将 W18Cr4V 高速钢和 YG8硬质合金作为衬底材料,用直流磁控溅射和射频磁控溅射法制备了 CN_x薄膜,用划痕法测定了薄膜和衬底材料之间的膜基结合力。
4)  CN_x nanotubes
CN_x纳米管
1.
Fabrication of CN_x nanotubes films using different nitrogen sources and their low field emission properties;
不同氮源制备CN_x纳米管薄膜及其低场致电子发射性能
5)  CN x nanotubes
CNx纳米管
6)  CN_x films
CNx薄膜
1.
The results of the field emission show that the turn-on fields of DLC films and CN_x films are 8^8 and 10?V/μm respectively.
利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并对制备条件进行了讨论。
2.
The CN_x films with different nitrogen contents were prepared on single crystal Si(100) substrate under different nitrogen flow rates by pulsed bias arc ion plating.
用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜。
参考词条
补充资料：ammonium ferrocyanide [(nh4)4(fe(cn)6)]
CAS：14481-29-9
分子式：C6FeN6·4H4N

中文名称：亚铁氰化铵；(OC-6-11)-六氰合高铁酸(4-)铵

英文名称：Ammonium ferrocyanide

hexakis(cyano-C)-, tetraammonium, (OC-6-11)-Ferrate(4-)

ammonium ferrocyanide [(nh4)4(fe(cn)6)]

ammonium hexacyanoferrate (ii)

hexacyano-ferrate(4- tetraammonium

tetraammonium, (oc-6-11)-ferrate(4-hexakis(cyano-c)-

tetraammonium hexacyanoferrate

triammonium hexakis-(cyano-c)ferrate(4-)
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