1) CN x films
CNx膜
1.
CN x films were fabricated with nitrogen as reactive gas by vacuum cathodic arc deposition;The films were analyzed by optical microscope,Auger electron spectroscopy (AES),Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) and X ray diffraction (XRD).
以氮气为反应气体 ,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜 ,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析。
2) CNx films
CNx薄膜
1.
It was found that the substrate bias had some effect on the adhesion and friction and wear behavior of the CNx films.
采用直流反应磁控溅射方法,在不同偏压条件下,在硬质合金基片(YG8WC+8%Co)上沉积了氮化碳薄膜,并通过X光电子能谱仪、涂层附着力自动划痕仪和摩擦磨损试验机研究了CNx薄膜与基体的附着力及其摩擦学性能。
2.
The surface morphology and microstructure of the CNx films were analyzed by means of atomic force microscopy(AFM), Raman spectroscopy, X-ray spectroscopy(XPS) and Fourier transformation infrared spectrometry(FITR).
以单晶硅片(100)为衬底,尿素-甲醇有机溶液为沉积液,用电化学沉积的方法在阴极制备出CNx薄膜。
3.
The refractive indexes of CNx films were measured with ellipsometry .
利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR PEUMS)系统,在室温下制备CNx薄膜。
3) CN_x films
CNx薄膜
1.
The results of the field emission show that the turn-on fields of DLC films and CN_x films are 8^8 and 10?V/μm respectively.
利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并对制备条件进行了讨论。
2.
The CN_x films with different nitrogen contents were prepared on single crystal Si(100) substrate under different nitrogen flow rates by pulsed bias arc ion plating.
用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜。
4) Carbon nitride films
CNx薄膜
1.
Carbon nitride films have excellent mechanical and tribological properties which are suitable for wear resistant films as well as solid lubricants.
CNx薄膜具有优异的机械与摩擦学性能,很适合作为理想的耐磨保护涂层以及固体润滑剂,具有十分广阔的应用前景。
5) CN x
CNx
1.
CN x thin films with a high nitrogen content were prepared on ITO conductive glass substrates by cathode electrodeposition, using dicyandiamide(C 2H 4N 4) in acetone as the precursors.
采用液相电化学沉积法 ,以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液 ,以镀有 ITO(铟锡氧化膜 )的导电玻璃为衬底制备了 CNx 薄膜 。
2.
CN x thin films were synthesized on Si(001) at different substrate temperatures( t s=room temperature, 350, 500 ℃) by R.
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 。
6) CN x nanotubes
CNx纳米管
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条