3) Effective reflection surface of flaw
缺陷有效反射面
4) defect reaction
缺陷反应
1.
The stability and defect reactions of neutral and charged H interstitial (H i) and H vacancy (H v) in KH 2PO 4(KDP) have been studied by an ab initio method.
这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机
2.
The analysis of surface effect is based on defect reaction and diffusion theory, the study for surface effect will have good guidance to the improv.
利用缺陷反应和扩散原理对表面层效应进行了初步分析,指出表面层效应的研究对改善和调节材料的电学性能具有重要的指导意义。
5) reconstluct the shape of crack
反演缺陷
6) anti-site defect
反位缺陷
1.
The cell parameters and the anti-site defects are increasing with x,but ther
二、X射线精修结果表明,样品的晶体结构属于单斜晶系(a≠b≠c,β≠90°),空间群为P2_1/n,随着Ce含量的增加,晶格常数变大,反位缺陷增加,但是没有发生结构相变。
补充资料：点缺陷(见晶体缺陷)
点缺陷(见晶体缺陷)
point defect
点缺陷point defeet见晶体缺陷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条