1) test/IGBT
测试/绝缘栅双极型晶体管
2) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
3) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极型晶体管
1.
The dynamic over-voltage in the series connection of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) of high-voltage and high-power inverter equipment is investigated,and a quick feedback controlling method based on the bang-bang control is presented to control the component voltages of the equipment,with the aim of restraining the dynamic over-voltage of two series components.
对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压。
4) insulated gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
5) IGBT
绝缘栅双极型晶体管
1.
Study on IGBT drive and protection circuit;
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究
2.
The model IGBT 1 in saber for IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) is introduced firstly,and its equivalent circuitry is presented.
介绍了Saber下绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)通用模型中IGBT1模型的等效电路,分析了IGBT1模型的静态和动态工作特性,包括直流传输特性、IGBT并联时的电流分配问题、IGBT导通过程等,并提供了Saber下IGBT1模型与静态、瞬态过程有关的参数取值。
3.
Combined with the design of brushless DC electric motor controller,a method to estimate power loss of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) based on PSPICE simulation is proposed.
结合无刷直流电机控制器的设计,提出了基于PSPICE仿真的绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)功率损耗的估算方法。
补充资料：双极型晶体管
| 双极型晶体管 bipolar transistor 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 |
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参考词条