3) magnetic bubble
磁泡
1.
When the thickness of Cu intermediate layer is thinner, magnetic bubbles domain is revealed, indicating that the easy axis is perpendicular to the surface.
Cu中间层厚度较薄时 ,由于铁磁层之间的耦合作用 ,纳米多层膜为垂直易磁化 ,磁畴为磁泡结构 ,磁泡的平均直径随Cu中间层厚度的增加而减小 ,多层膜矫顽力呈减小趋势。
4) bubble
[英]['bʌbl] [美]['bʌbḷ]
磁泡
1.
The stability of vertical Bloch lines(VBLs)in the second kind of dumbbell domain(IID)walls in LPE garnet bubble films subjected to an in-plane field at different temperature is studied experimentally.
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响。
2.
The length (or diameter) of the three kinds of hard domains (ordinary hard bubble (OHB) the first kind of dumbbell (ID) the second kind of dumbbell( IID)) in garnet bubble films, and the length of the dumbbelIs(ID IID) in different direction of rotation are measured in detail under the variety bias field.
本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化关系，并详细研究了不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系。
5) bubble domain
泡畴，磁泡
6) Vesicles
膜泡
1.
The Morphology of Vesicles of Higher Topological genus;
高亏格膜泡形状(英文)
2.
Then,many usual vesicle shapes such as the oblate,prolate vesicles etc.
在生物膜泡弹性理论自由能公式和根据变分方法得到的微分方程组的基础上,依据"打靶法"解微分方程边值问题的方法,用C语言编写相关的程序,研究旋转对称性生物膜泡,处理程序调试过程中遇到的奇点、误差控制等问题,得到了常见的oblate、prolate等膜泡形状和满足周期性的unduloid、pearling膜泡。
补充资料：磁泡
磁性材料薄膜在外磁场作用下产生的圆柱形稳定磁化区域，其磁化方向垂直于薄膜材料的平面。磁性晶体一般是由许多被称为磁畴的小区域构成。在每个磁畴内部，原子的磁矩由于交换作用成平行排列状态，即表现为自发磁化。在某些磁性石榴石单晶薄膜中，垂直于膜面的方向是易磁化方向,且满足条件ku≥2πMs2, 其中ku是单轴磁晶各向异性常数(见磁各向异性)，Ms是饱和磁化强度,即磁畴的磁化在易磁化方向时能量最低。用偏光显微镜垂直于膜面观察，可以清楚地看到膜中磁畴的形状。在退磁状态下呈弯弯曲曲的条状磁畴。大约一半的磁畴磁化方向垂直于膜面向上，另一半垂直于膜面向下。垂直于膜面方向加一向上的外磁场HB, 逐渐增加磁场强度。外磁场使磁化方向向上的磁畴逐渐扩张，使磁化方向向下的磁畴逐渐缩小。当外磁场增加到某一定程度时，磁化方向向下的磁畴便缩成圆柱状（如图）。这些圆柱状的磁畴在用偏光显微镜垂直于膜面方向观察时呈圆形，运动起来很像一群浮在水面上的小水泡,故被称为磁泡。这类磁性石榴石单晶薄膜的例子之一是在无色透明无磁性的钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)，简称 GGO)单晶基片上(晶体的〈111〉方向垂直于膜面)，用同构异质液相外延方法生长的一层数微米厚的成分为(YSmLuCa)3(GeFe)5O12)的薄膜。
60年代末期，开始提出用磁泡作存储器的想法。利用在磁性薄膜的某一位置上"有"和"无"磁泡的两种物理状态代表"1"和"0"，可实现信息的存储。控制磁泡的产生、消灭、移动和检出等可实现信息的写入、传输和读出。利用磁泡间的排斥作用还可以实现逻辑功能。用磁泡存储、处理信息的技术称为磁泡技术。
磁泡存储器具有非易失性，存储密度高，可靠性高，无高速旋转的机械部分，适合在运动条件下工作。缺点是速度慢，取数时间是数毫秒，比磁盘稍快，但较半导体存储器慢得多。由于磁泡存储器有上述的优点和缺点，它将在某些领域获得应用。
参考书目
A.H.Bobeck and E.D.Torre, Magnetic Bubble, North-Holland, Amsterdam, 1975.
60年代末期，开始提出用磁泡作存储器的想法。利用在磁性薄膜的某一位置上"有"和"无"磁泡的两种物理状态代表"1"和"0"，可实现信息的存储。控制磁泡的产生、消灭、移动和检出等可实现信息的写入、传输和读出。利用磁泡间的排斥作用还可以实现逻辑功能。用磁泡存储、处理信息的技术称为磁泡技术。
磁泡存储器具有非易失性，存储密度高，可靠性高，无高速旋转的机械部分，适合在运动条件下工作。缺点是速度慢，取数时间是数毫秒，比磁盘稍快，但较半导体存储器慢得多。由于磁泡存储器有上述的优点和缺点，它将在某些领域获得应用。
参考书目
A.H.Bobeck and E.D.Torre, Magnetic Bubble, North-Holland, Amsterdam, 1975.
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