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1)  hard bubbles
硬磁泡
2)  bubble hard error
磁泡硬错
3)  ordinary hard bubble
普通硬磁泡
1.
Influence of temperature on verticalBlochlines(VBLs) in the walls of ordinary hard bubble was investigated experimentally.
实验研究了温度对普通硬磁泡(OHB)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链的影响,发现存在一个与磁泡材料参量相关的使VBL链解体的临界温度范围〔T1;T2〕,为准确测得VBL链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方
2.
The stripe-to-bubble transition subjected to in-plane field is statistically studied for the ordinary hard bubble(OHB) in garnet bubble films at various static bias fields.
实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象。
3.
It is studied experimentally that the annihilation rule of vertical bloch lines(VBL) in the domain walls of ordinary hard bubbles(OHB) exerted alternatively by the "reconstitution" of static bias fields and inplane fields.
实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律。
4)  bubble hard error
磁泡硬错率
5)  rigid foam
硬泡
1.
A CFC - Free rigid foam polyether polyol has been pepared successfully.
成功地制备了一种用于无CFC发泡的新型硬泡聚醚多元醇,该聚醚可广泛地用于HCFC141b和环戊烷作为发泡剂的硬泡组合料中,用该聚醚制备的硬质聚氨酯泡沫具有高强度、低导热系数、高尺寸稳定性等优异性能。
6)  magnetic bubble
磁泡
1.
When the thickness of Cu intermediate layer is thinner, magnetic bubbles domain is revealed, indicating that the easy axis is perpendicular to the surface.
Cu中间层厚度较薄时 ,由于铁磁层之间的耦合作用 ,纳米多层膜为垂直易磁化 ,磁畴为磁泡结构 ,磁泡的平均直径随Cu中间层厚度的增加而减小 ,多层膜矫顽力呈减小趋势。
补充资料:磁泡材料
磁泡材料
magnetic bubble material
    在一定外磁场作用下,表面呈现磁泡阵列的磁性材料。强磁性材料在一定的外加磁场作用下,其表面形成圆柱状反磁化畴。因这种圆柱状磁畴从其柱轴方向看去好像浮在材料表面的圆泡,故称为磁泡畴,简称磁泡。磁泡材料主要为薄膜型材料,其单轴各向异性强,畴壁矫顽力小,迁移率高,在机械应力、温度等影响下稳定性好,化学稳定性高。磁泡材料薄膜的制备主要采用外延生长法,即将具有与待制磁泡材料相同或相近晶体构造和晶格常数的单晶基片,置于含有待制磁泡材料组分的熔体或溶液中,在一定条件下,磁泡材料沉积在基片上,形成具有一定晶面的磁泡材料薄膜。已实用的磁泡材料主要是稀土石榴石型铁氧体,可用以制造存取速度快、结构简单、功耗低、存储密度高的信息存储、记录和逻辑元件。
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参考词条