1) depositional processes
沉积后过程
2) Deposition Process
沉积过程
1.
Characteristics and process principle of cold gas spray process were introduced briefly and deposition process of supersonic Cu particles impacting onto substrate was analyzed.
分析了超音速Cu颗粒与基材高速撞击沉积过程,借助扫描电镜分析了涂层结合机理:涂层与基体的界面结合以及涂层之间的粒子结合主要以机械咬合为主;涂层之间的结合同时有部分冶金结合和物理结合。
3) deposition
[英][,depə'zɪʃn] [美]['dɛpə'zɪʃən]
沉积过程
1.
Microstructure and Deposition of Nano-composite Coating;
电刷镀纳米颗粒复合镀层的组织与沉积过程
2.
By using molecular dynamics simulation, the deposition process of cold spraying nano-scale Au particles on Au (001) surface and the morphological changes of the surface layers of the substrate and the particle are described, in which the many-body potential was used to calculate the interatomic force between the atoms.
通过对Au纳米粒子在Au基体上沉积过程的分子动力学模拟,再现了冷喷涂中Au纳米粒子在Au基体上沉积的过程以及粒子和基体表层的形貌变化;在撞击过程中,基体的局部区域有熔化现象,通过计算粒子原子进入基体表面层的数量及粒子与基体间的最终接触面积,探讨了影响喷涂粒子沉积过程的主要因素。
3.
This paper introduces the study of molecular contamination on solar array panel,including three parts:the sources of molecular contamination,the transport mechanisms and the deposition.
文章介绍了太阳电池翼分子污染预估模拟的研究方案,包括分子污染源动力模拟、分子污染沉积过程模拟和分子污染传输过程模拟。
4) depositing process
沉积过程
1.
A finite-element model was used to simulate the temperature field in depositing process of vertical thin wall samples, and solid-liquid coupling thermal conduction problem and heat content within solid-liquid blending zone are treated by using equivalent thermal conductivity and enthalpy potential method.
建立了模拟直薄壁件逐点沉积过程中温度场的有限元模型,用等价导热系数和焓值法处理了固-液耦合热传导问题和固液混合区的焓。
5) sedimentary process
沉积过程
1.
This paper is based on the field survey of sedimentary process of carbonate in cold spring freshwater of contemporaneity sinter in Baishuitai and the data obtained from the analysis on the chemistry of the water locale and indoor.
对白水台冷泉型淡水碳酸盐现代泉华沉积过程的野外观察和对泉水流动与泉华沉淀过程中各部位所取水样的现场和室内水化学分析所获得的数据,揭示出泉华沉积过程分为放气和沉淀两个阶段。
6) depositional wave process
沉积波动过程
补充资料：正规过程和倒逆过程
讨论完整晶体中声子-声子散射问题时,由于要求声子波矢为简约波矢（见布里渊区），所得到的总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量G)。例如对于三声子过程有下列条件
， (1)
式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢，式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)＝0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧，这时散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数，而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高，简约区边界附近的声子有较多激发时，U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
k+G＝k┡±q，
(2)
式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中，总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处，连续媒质对无穷小平移具有不变性，才能求得总波矢守恒，而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性，因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
， (1)
式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢，式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)＝0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧，这时散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数，而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高，简约区边界附近的声子有较多激发时，U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
k+G＝k┡±q，
(2)
式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中，总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处，连续媒质对无穷小平移具有不变性，才能求得总波矢守恒，而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性，因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条