1) displacement group effect
位移群桩效应
1.
This paper makes a thoroughly study on the behavior of laterally loaded pile groups by 3D FEM Some conclusions relating to the displacement group effect are obtained from simulating the influence of several factor
利用三维弹性有限元法对水平荷载群桩基础进行了特性分析研究，讨论了桩距、桩数、桩长、桩径和土质等各种因素对群桩基础位移群桩效应的影响，得出了一些有益的结
2) group pile effect
群桩效应
1.
Reducing well spacing can economize project cost, but it will cause group pile effect and bring on the phenomenon of repelling hammering.
减小井距可节约工程费用,但会引起群桩效应而导致拒锤现象发生。
2.
The deformation behavior and group pile effect of a very large group pile foundation subjected to vertical load are studied,and the variation laws of the pile shaft axial force and pile top load distributions are analyzed as well.
通过18根和64根群桩离心模型试验,获得了荷载~沉降关系曲线、桩身轴力分布,研究了在竖向荷载作用下超大型群桩基础的承载变形特性和群桩效应,分析了桩身轴力分布、桩顶荷载分布等变化规律。
3) pile group effect
群桩效应
1.
Therefore,not only the pile spacing but also the pile group layout will have influence on both the bearing capacity and the pile group effect of pile groups.
群桩已不再具有圆形单桩的轴对称性,因此群桩的承载特性及群桩效应不仅受桩间距的影响,而且受群桩布置方式的影响。
2.
The time-history method is used for calculating the seismic response of high piers under uniform excitation and progressive wave effect in consideration of pile group effect and pile-soil interaction.
建立一座5跨薄壁高墩连续刚构桥的空间抗震有限元模型,考虑群桩效应和桩-土效应,运用时程分析法计算了一致激励及行波效应下高墩的地震响应。
4) effect of pile group
群桩效应
1.
Considering effect of pile group and non-linear deflection,the internal force and deflection calculated by this method agrees better with data from practice than that of model of hypothetic fixed point.
与假想嵌固点法计算结果比较可知,地基系数折减法考虑了桩的非线性变形与群桩效应,其内力与变形与工程实际更吻合。
5) pile groups effect
群桩效应
1.
It discusses the influence factors of pile groups effect,such as pile space,pile number,pile diameter,pile length and soil parameter etc.
本文首先运用目前国内外应用较为广泛的有限元软件ANSYS对群桩基础进行有限元分析：分析了横向荷载作用下群桩的桩距、桩数、桩径、桩长、土体模量等因素对群桩效应的影响，得出了一些有益的结论。
6) group effect
群桩效应
1.
This paper focuses on some of the special technical features to be considered in the design of pile foundations, including effects of particular site conditions, pile group effects, lateral resistance of pile cap and flow slide of liquefiable soil etc.
主要说明台湾高速铁路工程南部段自里程TK188至TK343长约155km松软冲积层中桩基础设计中几个需详细考虑的因素特殊地盘效应、群桩效应、桩帽侧向阻抗及土壤液化地层滑移等。
2.
Based on the project of pile foundation the mechanism and disadvantages of extruding effect and group effect of precast piles are analyzed,and the principle for the layout of monitoring points is presented.
以某桩基工程为例 ,阐述了预制桩挤土效应和群桩效应的机理和表现形式及其监测点布置原则 ,开展了以超静孔压、基桩轴力、桩侧土压力和桩顶偏移为主的原型监测 ,提出了用于埋头桩桩顶偏移观测的移动式倒垂线观测系统和有效抽排粘性土层中地下水的碎石桩式降水井工
3.
The foundation piles of main-tower of Su-Tong Bridge are bore cast-in-place piles with large diameter and the length beyond one hundred meter, so the paper main analyzes the bearing capacity of pile and group effect, which the geologic condition is intricate.
针对苏通大桥主桥桩基础具有工程地质条件复杂,基桩数量多而密集,直径大、且长度超百米的特点,侧重研究其承载力和群桩效应问题。
补充资料：辐射位移效应
高能辐射导致半导体材料的原子离开原晶格位置而转移到别的位置上的一种核辐射效应。高能粒子或高能辐射造成的次级粒子，与物质晶格原子核发生弹性碰撞，将其一部分能量传递给晶格原子。当传递能量大于晶格原子的位移阈能时，晶格原子获得动能而离开原来位置，转移到别的位置上而成为间隙原子，原来的晶格位置缺一个原子形成空位。一般半导体材料的位移阈能在10～25电子伏之间。
当高能中子、电子、质子、重的荷电粒子和γ射线辐照半导体材料时，使其中产生位移，造成缺陷，改变其原有电学性能，这叫做辐射位移损伤。辐射粒子与原子核之间碰撞的能量传递，是各自质量的函数，一般能量相同的重粒子比轻粒子损伤严重些。中子和γ射线辐照，由于不带电荷，穿透很深，造成材料体内的均匀损伤；电子、质子特别是重荷电粒子辐照，由于带电荷穿入较浅，只造成一定深度的损伤。定量地描述辐射造成的位移损伤，须考虑辐射的强度、能谱分布和时间谱分布的影响。位移损伤可以小剂量长期累积，如航天器在高空受到范·艾伦辐射带中电子和质子的辐照；也可以是瞬间大剂量，如核爆炸在一瞬间内释放出极高强度的中子和γ射线，在100纳秒内即能造成严重的位移损伤。
位移损伤在晶格中造成缺陷，间隙原子和空位构成夫伦克耳缺陷，又叫点缺陷。高能辐射与物质相互作用，开始都形成点缺陷；但在室温下不稳定，空位在运动中有时与间隙原子复合，缺陷消除。有时形成不同特点的两大类缺陷。①简单缺陷：最多包括几个原子联合在一起形成相对稳定的缺陷，如双空位、三空位、空位和杂质的复合物等;②缺陷团：每团包含200～1000个点缺陷，团中心是直径约为 500埃的无序原子区并带有电荷。周围是一层直径约2000埃的耗尽层区,带有相反的电荷。这两类缺陷的形成破坏晶格的位能，在禁带中形成新的电子能级，起复合中心的作用，影响材料的性质。
对于半导体材料，最重要的参数是载流子浓度n,迁移率μ和寿命τ，它们与辐照通量φ的关系为
n(φ)＝n(0)±φdn/dφ
μ(φ)＝μ(0)－φdμ/dφ
1/τ(φ)＝1/τ(0)＋φ
式中 n(φ)、n(0)、μ(φ)、μ(0)、τ(φ)、τ(0)分别代表辐照后及辐照前的载流子浓度、迁移率及寿命,为材料寿命损伤常数。dn/dφ、dμ/dφ 及都与材料和辐射的种类、能量有关。辐照使多子浓度减小（这叫做载流子去除效应）、寿命和迁移率退化，因而引起半导体器件参数的变化。
对辐照效应的研究，就是研究不同的辐照对象在不同辐射条件下的参数变化规律和损伤容限。
当高能中子、电子、质子、重的荷电粒子和γ射线辐照半导体材料时，使其中产生位移，造成缺陷，改变其原有电学性能，这叫做辐射位移损伤。辐射粒子与原子核之间碰撞的能量传递，是各自质量的函数，一般能量相同的重粒子比轻粒子损伤严重些。中子和γ射线辐照，由于不带电荷，穿透很深，造成材料体内的均匀损伤；电子、质子特别是重荷电粒子辐照，由于带电荷穿入较浅，只造成一定深度的损伤。定量地描述辐射造成的位移损伤，须考虑辐射的强度、能谱分布和时间谱分布的影响。位移损伤可以小剂量长期累积，如航天器在高空受到范·艾伦辐射带中电子和质子的辐照；也可以是瞬间大剂量，如核爆炸在一瞬间内释放出极高强度的中子和γ射线，在100纳秒内即能造成严重的位移损伤。
位移损伤在晶格中造成缺陷，间隙原子和空位构成夫伦克耳缺陷，又叫点缺陷。高能辐射与物质相互作用，开始都形成点缺陷；但在室温下不稳定，空位在运动中有时与间隙原子复合，缺陷消除。有时形成不同特点的两大类缺陷。①简单缺陷：最多包括几个原子联合在一起形成相对稳定的缺陷，如双空位、三空位、空位和杂质的复合物等;②缺陷团：每团包含200～1000个点缺陷，团中心是直径约为 500埃的无序原子区并带有电荷。周围是一层直径约2000埃的耗尽层区,带有相反的电荷。这两类缺陷的形成破坏晶格的位能，在禁带中形成新的电子能级，起复合中心的作用，影响材料的性质。
对于半导体材料，最重要的参数是载流子浓度n,迁移率μ和寿命τ，它们与辐照通量φ的关系为
n(φ)＝n(0)±φdn/dφ
μ(φ)＝μ(0)－φdμ/dφ
1/τ(φ)＝1/τ(0)＋φ
式中 n(φ)、n(0)、μ(φ)、μ(0)、τ(φ)、τ(0)分别代表辐照后及辐照前的载流子浓度、迁移率及寿命,为材料寿命损伤常数。dn/dφ、dμ/dφ 及都与材料和辐射的种类、能量有关。辐照使多子浓度减小（这叫做载流子去除效应）、寿命和迁移率退化，因而引起半导体器件参数的变化。
对辐照效应的研究，就是研究不同的辐照对象在不同辐射条件下的参数变化规律和损伤容限。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条