1) load and displacement effects
荷载、位移效应
2) load displacement function
荷载位移
3) internal force due to lateral deformation
位移荷载
1.
After analyzing traditional ultimate load-carrying capacity,calculation formula,adding secondary axial force,basing on two-stage-working principle,renewing the definition of secondary moment and considering internal force due to lateral deformation four calculation methods of lateral restraint are given out; Hinged joint in beam end,pin joint in column end.
提出了超静定预应力混凝土结构侧向约束影响系数的概念与计算方法,在分析了现行常规设计方法承载力计算公式之后,建立了通过次轴力考虑侧向约束影响、通过预应力筋两阶段工作原理考虑侧向约束影响、通过重新定义次弯矩考虑侧向约束影响和通过位移荷载考虑侧向约束影响等四种计算分析方法,分析总结了梁端铰接法、柱底铰接法和子柱法等三种通过构造措施考虑侧向约束影响的方法,为合理设计有侧向约束的预应力混凝土结构提供了依据。
4) load-displacement
荷载-位移
1.
Based on the experimental study of 13 specially-shaped RC(reinforced concrete) columns under low cyclic load,the method of nonlinear analysis of specially-shaped columns is put forward and the computer program is developed to deal with the load-displacement skeleton curve.
在13根钢筋混凝土异形柱低周反复荷载试验研究的基础上,采用非线性分析方法对异形柱受力性能进行分析,并编制了计算异形柱荷载-位移骨架曲线的程序,计算结果与试验结果吻合较好,为预测地震作用下的钢筋混凝土异形柱的非线性行为提供了一种便捷的方法。
5) load effect
荷载效应
1.
Judging conditions of the most disadvantageous load effect combinations;
荷载效应最不利组合的判别条件
2.
Focusing on the problem of suspender s monitoring and safety evaluation, a suspenders load effect monitoring system with fiber sensor was set up on the Ebian Dadu River Bridge in Sichuan province.
以四川峨边大渡河下承式钢管混凝土系杆拱桥为背景,针对吊杆健康监测与安全评定问题,详细介绍了该桥吊杆车辆荷载效应光纤光栅监测系统的组成,基于监测结果的车辆荷载效应分析的理论与过程,以及吊杆安全评定准则和该系统试运行状况及其监测结果。
3.
According to structural response of a double pylons 3-span cable-stayed bridge with single cable plane under seismic load,a concept of "the influence degree of cable dynamic load effect"is put forward and used to quantitatively analyze real function of cables of an extradosed cable-stayed bridge.
结合小西湖双塔三跨单索面矮塔斜拉桥地震荷载作用下的结构动力反应,引入“斜拉索动力荷载效应影响度”的概念定量分析了矮塔斜拉桥斜拉索在地震荷载下的实质作用,并据此提炼出能综合反映矮塔斜拉桥结构动力特征的参数———“矮塔斜拉桥动力特征参数”;用“斜拉索动力荷载效应影响度”与“矮塔斜拉桥动力特征参数”的相关性定量描述矮塔斜拉桥的动力特点,对进一步认识矮塔斜拉桥的动力性能有一定的参考意义。
补充资料：辐射位移效应
高能辐射导致半导体材料的原子离开原晶格位置而转移到别的位置上的一种核辐射效应。高能粒子或高能辐射造成的次级粒子，与物质晶格原子核发生弹性碰撞，将其一部分能量传递给晶格原子。当传递能量大于晶格原子的位移阈能时，晶格原子获得动能而离开原来位置，转移到别的位置上而成为间隙原子，原来的晶格位置缺一个原子形成空位。一般半导体材料的位移阈能在10～25电子伏之间。
当高能中子、电子、质子、重的荷电粒子和γ射线辐照半导体材料时，使其中产生位移，造成缺陷，改变其原有电学性能，这叫做辐射位移损伤。辐射粒子与原子核之间碰撞的能量传递，是各自质量的函数，一般能量相同的重粒子比轻粒子损伤严重些。中子和γ射线辐照，由于不带电荷，穿透很深，造成材料体内的均匀损伤；电子、质子特别是重荷电粒子辐照，由于带电荷穿入较浅，只造成一定深度的损伤。定量地描述辐射造成的位移损伤，须考虑辐射的强度、能谱分布和时间谱分布的影响。位移损伤可以小剂量长期累积，如航天器在高空受到范·艾伦辐射带中电子和质子的辐照；也可以是瞬间大剂量，如核爆炸在一瞬间内释放出极高强度的中子和γ射线，在100纳秒内即能造成严重的位移损伤。
位移损伤在晶格中造成缺陷，间隙原子和空位构成夫伦克耳缺陷，又叫点缺陷。高能辐射与物质相互作用，开始都形成点缺陷；但在室温下不稳定，空位在运动中有时与间隙原子复合，缺陷消除。有时形成不同特点的两大类缺陷。①简单缺陷：最多包括几个原子联合在一起形成相对稳定的缺陷，如双空位、三空位、空位和杂质的复合物等;②缺陷团：每团包含200～1000个点缺陷，团中心是直径约为 500埃的无序原子区并带有电荷。周围是一层直径约2000埃的耗尽层区,带有相反的电荷。这两类缺陷的形成破坏晶格的位能，在禁带中形成新的电子能级，起复合中心的作用，影响材料的性质。
对于半导体材料，最重要的参数是载流子浓度n,迁移率μ和寿命τ，它们与辐照通量φ的关系为
n(φ)＝n(0)±φdn/dφ
μ(φ)＝μ(0)－φdμ/dφ
1/τ(φ)＝1/τ(0)＋φ
式中 n(φ)、n(0)、μ(φ)、μ(0)、τ(φ)、τ(0)分别代表辐照后及辐照前的载流子浓度、迁移率及寿命,为材料寿命损伤常数。dn/dφ、dμ/dφ 及都与材料和辐射的种类、能量有关。辐照使多子浓度减小（这叫做载流子去除效应）、寿命和迁移率退化，因而引起半导体器件参数的变化。
对辐照效应的研究，就是研究不同的辐照对象在不同辐射条件下的参数变化规律和损伤容限。
当高能中子、电子、质子、重的荷电粒子和γ射线辐照半导体材料时，使其中产生位移，造成缺陷，改变其原有电学性能，这叫做辐射位移损伤。辐射粒子与原子核之间碰撞的能量传递，是各自质量的函数，一般能量相同的重粒子比轻粒子损伤严重些。中子和γ射线辐照，由于不带电荷，穿透很深，造成材料体内的均匀损伤；电子、质子特别是重荷电粒子辐照，由于带电荷穿入较浅，只造成一定深度的损伤。定量地描述辐射造成的位移损伤，须考虑辐射的强度、能谱分布和时间谱分布的影响。位移损伤可以小剂量长期累积，如航天器在高空受到范·艾伦辐射带中电子和质子的辐照；也可以是瞬间大剂量，如核爆炸在一瞬间内释放出极高强度的中子和γ射线，在100纳秒内即能造成严重的位移损伤。
位移损伤在晶格中造成缺陷，间隙原子和空位构成夫伦克耳缺陷，又叫点缺陷。高能辐射与物质相互作用，开始都形成点缺陷；但在室温下不稳定，空位在运动中有时与间隙原子复合，缺陷消除。有时形成不同特点的两大类缺陷。①简单缺陷：最多包括几个原子联合在一起形成相对稳定的缺陷，如双空位、三空位、空位和杂质的复合物等;②缺陷团：每团包含200～1000个点缺陷，团中心是直径约为 500埃的无序原子区并带有电荷。周围是一层直径约2000埃的耗尽层区,带有相反的电荷。这两类缺陷的形成破坏晶格的位能，在禁带中形成新的电子能级，起复合中心的作用，影响材料的性质。
对于半导体材料，最重要的参数是载流子浓度n,迁移率μ和寿命τ，它们与辐照通量φ的关系为
n(φ)＝n(0)±φdn/dφ
μ(φ)＝μ(0)－φdμ/dφ
1/τ(φ)＝1/τ(0)＋φ
式中 n(φ)、n(0)、μ(φ)、μ(0)、τ(φ)、τ(0)分别代表辐照后及辐照前的载流子浓度、迁移率及寿命,为材料寿命损伤常数。dn/dφ、dμ/dφ 及都与材料和辐射的种类、能量有关。辐照使多子浓度减小（这叫做载流子去除效应）、寿命和迁移率退化，因而引起半导体器件参数的变化。
对辐照效应的研究，就是研究不同的辐照对象在不同辐射条件下的参数变化规律和损伤容限。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条