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1)  charge storage cell
电荷存储元件
2)  storage element
存储元件,蓄电池
3)  ferroelectric memory element
铁电存储元件
4)  charge storage
电荷存储
5)  charge storage
电荷储存
1.
Hopping current and charge storage in crystal polymer electret;
结晶聚合物驻极体中的跳跃电流和电荷储存
2.
The stability of charge storage of the SiO_2 film electret is improved by the plasma surface treatment of the thermal grown SiO_2 film on the Si substrate.
同种等离子体处理的时间不同,对电荷储存性能的改善也不同。
3.
The characteristics of charge storage in APCVD Si 3N 4/thermal\|grown SiO 2 double layers electret films, charged by coroma were investigated by measurements of isothermal surface potential decay and thermally stimulated discharge(TSD).
结果表明 :在常温环境中 ,30 0℃高温下 ,以及 95 %相对湿度时的 6 0℃条件下 ,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性 。
6)  charge store
存储电荷
补充资料:电荷耦合器件存储器


电荷耦合器件存储器
charge-coupled device memory

  d ianhe ou阳qilian eunehuql电荷报合器件存储器(cha飞卜份up砚device叮沈.曰叮)利用具有电荷储存功能和电荷转移功能的电荷辆合器件(CCD)构成的串行存储器。电荷藕合器件是利用场效应管的结电容来保存电荷,电荷的存储量大小取决于电极大小、形状和结构,以及材料的势垒。电荷转移的过程则是利用两相或三相时钟进行控制。电荷祸合器件的输人部分由输人接触电阻、二极管和输人门组成。电荷通过输人接触电阻注人到第一个输人门的结电容上,这个电路的充电时间常数远小于时钟周期,因此在下一个时钟脉冲来到之前,结电容能充电完毕,其上的电压与电荷量成正比。在下一个时钟脉冲到来时,利用二极管的反向特性将第一个门与输人电路隔开,并将第一个门上的电荷转移到第二个门,存储在第二个门。电荷辆合器件的输出部分由金属一半导体场效应管(N正污FET)组成,在时钟的控制下,电荷从输人门转移到场效应管的控制栅上,经放大后形成电压输出。 电荷藕合器件有直线型和平面型两种。直线型电荷祸合器件的电荷检测单元排成一行,两侧是电荷转移单元,如图1所示。平面型在原理上与直线型没有什么差别,结构上不同的是电荷检测单元排成矩阵形式(例如100 x 100或2扔x 100的结构),电荷转移单元则放在两行电荷检测单元之间。 时钟 出 精卜户es枯出放大器电荷转移单兄瓤斑喊颇当.二电黔电荷转移单元时钟 图1直线型电荷祸合器件结构原理 电荷的输入有两种方式。一是利用光照射电荷检测单元,每个单元将接收到的光通量转换成电荷量。这样可将连续一片的光分解成一个个象素,便于进行数字化处理。另一种输人方法是通过PN结将电荷注人到第一个电荷检测单元,在时钟控制下逐步转移到第二单元、第三单元。这样可将串行的电荷量转变为并行的电压量,在时钟控制下输出。 电荷祸合器件功耗低,尺寸小,灵敏度高,可靠性好,抗震耐冲击,因此很早就应用于摄象机和扫描仪器设备中,还用于光学符号识别和模式识别等图象信息处理设备中。另外,它作为模拟信号的存储器,作为时序存储器、串并转换器,在计算机中也有应用。 电荷祸合器件的发展方向是提高集成度和工作速度。目前已有光灵敏度达580 xliw,集成度为每芯片32万个象素的产品问世。 (黄德金)
  
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参考词条