1) non linear restraint
非线性制动
1.
(2)Extending the conception of product restraint for getting differential protection with characteristic of non linear restraint.
本文通过对标积制动量与传统比率制动量进行对比分析，探讨以下几个问题：（１）标积制动判据与比率制动判据的统一性；（２） 扩展标积制动概念以便在差动保护中获得非线性制动特性；（３）在多侧差动保护中应用标积制动的方法。
2) Nonlinear sliding control
非线性滑动控制
3) dynamic nonlinear damping
动态非线性抑制
1.
The dynamic nonlinear damping theory of Krstic et al~() can only solve the problem of robust control of nonlinear system with single-input unmodelled dynamics.
Krstic得出的动态非线性抑制引理提出了一种推广方案,将原引理只适用于单输入的情况,推广到多输入的情况,并将其应用在某型号飞机的非线性控制律设计中,仿真结果表明,在舵机存在未建模动态时,该方案能明显抑制未建模动态对飞机动态造成得影响,从而增强飞机控制系统的鲁棒性。
4) nonlinear motion control
非线性运动控制
1.
A new model free learning control algorithm for nonlinear motion control based on Fourier infinite series mapping is presented.
本文针对具有往复特性的非线性运动控制 ,提出了一种基于Fourier无穷级数的无模型运动控制算法 。
5) nonlinear dynamic inversion control
非线性动态逆控制
1.
In order to provide satisfactory nonlinear decoupling ability and maintain good longitudinal stability,we apply nonlinear dynamic inversion control in designing the flight control system of the hypersonic vehicle.
该文应用非线性动态逆控制来设计高超音速飞行控制系统,以求为其提供满意的非线性解耦控制能力,维持良好的纵向稳定性能。
6) nonlinear dynamical control systems
非线性动态控制系统
1.
The global regulation of nonlinear dynamical control systems;
非线性动态控制系统的全局调节
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条