1) Heterojunction solar cell
异质结太阳电池
1.
Heterojunction solar cells are formed by p-type CuInSe2 film and n-type CdS film.
分别用三源共蒸发法和双源共蒸发法制备出CuInSe_2(简称CIS)膜和CdS膜,p型CIS与n型CdS组成异质结太阳电池。
2.
The performances of heterojunction solar cell with different band gap,thickness of intrinsic layer and defect densities in different interfaces were simulated via AFORS-HET,Version 2.
运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。
3.
Based on the above investigation,by optimizing the annealing temperatures and the β-FeSi2 layer thickness,n-type β-FeSi2/p-type Si heterojunction solar cell was fabricated on p-type Si(111) crystalline silicon substrate,with Jsc of 7.
在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7。
3) CdS/CdTe heterojunction solar cells
CdS/CdTe异质结太阳电池
4) heterojunction solar cell
异质结太阳能电池
1.
Analysis of the design for a-SiC:H thin films in a-SiC/c-Si heterojunction solar cells;
a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析
2.
A computer simulation model of a-Si/c-Si heterojunction solar cells at thermodynamic equilibrium using a Scharfetter-Gummel solution of Poisson s equ at ion has been developed.
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c- Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定
3.
By means of a computer simulation method, the electric field distribution in n+ (μc-SiC: H)/p (poly-Si)and n+ (μc-SiC: H )/i (a-SiC: H )/p (poly-Si) heterojunction solar cells is presented.
应用计算机数值模拟方法计算n＋（μc－SiC：H）／p（poly－Si）及n＋（μc－SiC∶H）／i（a－SiC∶H）／p（poly－Si）异质结太阳能电池中的电场强度分布，说明μc－SiC／poly－Si异质结电池制造中μc－SiC：H膜厚选择，进而对嵌入a-SiC∶H薄层的μc－SiC／poly－Si异质结太阳能电池设计进行分析，包括a－SiC∶H薄层N型掺杂效应，最后讨论μc－SiC／poly－Si太阳能电池稳定性。
5) homojunction solar cell
同质结太阳电池
6) Heteroface GaAs solar cell
异质面GaAs太阳电池
补充资料：多晶硅太阳电池
多晶硅太阳电池的性能基本与单晶硅太阳电池相同，目前国外多晶硅太阳电池大部分是10cm×10cm的方片。工业化生产的多晶硅太阳电池的典型特性参数如下：
isc=2950ma，voc=584mv，填充因子ff=0．72，转换效率η=12．4％(测试条件：am1．5，1000w／m2，25℃)。
多晶硅太阳电池的其它特性与单晶硅太阳电池类似，如温度特性、太阳电池性能随入射光强的变化等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条