正切非线性,Cushioning properties,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Cushioning properties

正切非线性

2) Hyperbolic tangent nonlinearity

双曲正切非线性

3) hyperbolic tangent non-line function

双曲正切非线性函数

4) Tangent

正切

It dicusses two approach to calculate diameters of convex polygons,using the sign sequence of tangent function and consine function of the angle,and gives out the calcu-lating process.

算法分别讨论了利用求夹角正切值符号序列和余弦值符号序列来求解凸多边形直径的两种途径,并给出了各自的算法实现,最后对算法进行了验证,实验结果证明夹角符号序列算法效率高、可靠性好。

5) Arc tangent

反正切

The Design and optimization of arc tangent calculate circuit based on FPGA;

基于FPGA的反正切函数的优化算法

Implementation of arc tangent function using assembly in fixed-point DSP based on differential evolution algorithm;

实现定点DSP汇编层反正切函数的差分进化算法

6) tangent stiffness

正切刚度

Determination of the stiffness of the specimen in the pseudo dynamic test is a very important task, including the determination of the initial stiffness at the start of the experiment、tangent stiffness of numerical integration algorithm in pseudo dynamic test.

在拟动力实验中试件刚度的确定是一项非常重要的工作,包括实验开始时初始刚度的确定、算法中正切刚度的确定等。

参考词条

正切面正切控制正切机构正切数正切定理正切锥损耗正切正切投影正切模量正切应力正切误差损失正切值损耗角正切正切电流计职位分类设施设计和建设

补充资料：半导体非线性光学材料

半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。

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1) Cushioning properties 正切非线性 2) Hyperbolic tangent nonlinearity 双曲正切非线性 3) hyperbolic tangent non-line function 双曲正切非线性函数 4) Tangent 正切 1. It dicusses two approach to calculate diameters of convex polygons,using the sign sequence of tangent function and consine function of the angle,and gives out the calcu-lating process. 算法分别讨论了利用求夹角正切值符号序列和余弦值符号序列来求解凸多边形直径的两种途径,并给出了各自的算法实现,最后对算法进行了验证,实验结果证明夹角符号序列算法效率高、可靠性好。 5) Arc tangent 反正切 1. The Design and optimization of arc tangent calculate circuit based on FPGA; 基于FPGA的反正切函数的优化算法 2. Implementation of arc tangent function using assembly in fixed-point DSP based on differential evolution algorithm; 实现定点DSP汇编层反正切函数的差分进化算法 6) tangent stiffness 正切刚度 1. Determination of the stiffness of the specimen in the pseudo dynamic test is a very important task, including the determination of the initial stiffness at the start of the experiment、tangent stiffness of numerical integration algorithm in pseudo dynamic test. 在拟动力实验中试件刚度的确定是一项非常重要的工作,包括实验开始时初始刚度的确定、算法中正切刚度的确定等。参考词条正切面正切控制正切机构正切数正切定理正切锥损耗正切正切投影正切模量正切应力正切误差损失正切值损耗角正切正切电流计职位分类设施设计和建设补充资料：半导体非线性光学材料半导体非线性光学材料 semiconductor nonlinear optical materials 载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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