1) Rutherford . backscattering spectrometry-channeling
卢瑟福背散射-沟道技术
2) Rutherford backscattering and ion channeling
卢瑟福背散射/沟道技术
3) rutherford backscattering and ion channeling measurements
卢瑟福背散射沟道技术
4) Rutherford backscattering/channeling
卢瑟福背散射/沟道
1.
Strain in Al I[WTFZ]nGaN thin films caused by different contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution x-ray diffraction;
用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变
2.
Depth-dependent elastic strain in ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO heterostructure studied by Rutherford backscattering/channeling;
用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变
5) RBS/Channeling
卢瑟福背散射/沟道
1.
RBS/Channeling study on elastic strain in ZnO film grown by MOVCD;
用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变
6) RBS/C
卢瑟福背散射/沟道效应
1.
In this article, the principles of characterizing strain by RBS/C, HRXRD and Raman spectra were thoroughly described.
本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。
补充资料：卢瑟福背散射
分子式：
CAS号：
性质：基于带电粒子弹性散射的分析方法。这种弹性散射作用产生的出射粒子方向与入射方向的夹角接近180°，最初由卢瑟福作了理论分析和实验测量，故亦称卢瑟福背散射。可用于化合物成分分析，薄膜厚度测量，深度分布测量以及材料阻止本领测量等。
CAS号：
性质：基于带电粒子弹性散射的分析方法。这种弹性散射作用产生的出射粒子方向与入射方向的夹角接近180°，最初由卢瑟福作了理论分析和实验测量，故亦称卢瑟福背散射。可用于化合物成分分析，薄膜厚度测量，深度分布测量以及材料阻止本领测量等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条