1) saturated current density
饱和电流密度
2) reverse saturation current density
反向饱和电流密度
1.
The experimental results of J-V characteristic of n-ZnO/p-Si heterojunction are first reported—the reverse saturation current density of annealed n-ZnO/p-Si heterojunction reduces by 10 times as compared with that of unannealed.
本文首次报道 n-Zn O/p-Si异质结 J-V特性实验测量的初步结果——经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级 ,表明退火改善 Zn O/Si晶格界面结构 ,提高了 n-Zn O/p-Si异质结性
3) saturated density
饱和密度
1.
This equation not only can be used to calculate saturated density of 3He, but is also of great significance to generate the equation of state for 3He in both liquid and gas regions.
采用非线性最小二乘回归方法拟合3He饱和区气液密度实验数据 ,提出精度满足要求的3He气液饱和密度方程。
4) Saturation Current
饱和电流
1.
The electric resistance enlarges and the saturation current declines due to drying of concrete in the early days,and in the end they tend towards the stability.
本文实验研究了水泥基pn结的伏安特性,结果表明由钢纤维混凝土和碳纤维混凝土组成的pn结具有比较典型的pn结伏安特性,且随着期龄的延长,混凝土变得干燥而电阻增大,水泥基pn结导电能力减弱,单向导电功能逐渐加强,反向饱和电流趋向稳定。
5) Saturated current
饱和电流
1.
A new physical model of the MESFET s saturated current is proposed.
本文提出一种改进的基于物理的GaAsMESFET饱和电流模型。
2.
For researching the saturated current and checking the LED chips′ reliability, the relat.
本文汇集各厂家 In Ga Al P超高亮 LED芯片 ,并制成器件 ,对其多种性能进行对比分析 ,测试超高亮 LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小 ,并进行电耐久性试验以考核超高亮 LED芯片的可靠性 ;简要介绍了封装工艺设计对超高亮 L ED性能参数的影响 ,并提出超高亮 LED性能及可靠性的其它要求 ,为客户选用超高亮 LED提供相对的依据。
6) current saturation
电流饱和
补充资料：表观电流密度
分子式：
CAS号：
性质：电极单位表观面积上流过的电流。由于电极的真实面积不易精确测量，这是对比电极反应速率时常用的度量方法。
CAS号：
性质：电极单位表观面积上流过的电流。由于电极的真实面积不易精确测量，这是对比电极反应速率时常用的度量方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条