1) film electrode of molybdenum nitride
氮化钼膜电极
2) Nitride
[英]['naitraid] [美]['naɪtraɪd]
氮化钼电极
1.
The Effect of V-Compound on Molybdenum Nitride;
钒化合物对氮化钼电极的影响
3) tantalum nitride resistor
氮化钼电阻器
4) molybdenum nitride-molybdenum oxide composite electrode
复合氧化钼电极
5) molybdenum nitride
氮化钼
1.
Synthesis and characterization of an environmental protection catalytic materials molybdenum nitride;
环保型催化材料氮化钼的合成与表征
2.
Preparing ultramicro molybdenum nitride powders by high-energy mechanochemistry method;
高能机械化学法制备超微氮化钼粉体
3.
Research progress in deep hydrodesulfurization by molybdenum nitride catalysts;
氮化钼深度加氢脱硫催化剂研究进展
6) Nd-MoN
钕-氮化钼
1.
Preparation and Conductivity of Nd-MoN by Rare Earth Gas Phase Permeation;
稀土气相扩渗法制备钕-氮化钼及其导电性
补充资料：氮化硅膜
分子式：
CAS号：
性质： 硅氮化合物的薄膜。可用化学气相沉积和溅射法制备，通常采用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备，沉积温度低于300℃。由于Si3N4具有高硬度(块体硬度HV l7.2GPa)和优良的化学稳定性，它是很受重视的耐磨抗蚀膜，常用作微电子技术电绝缘层。但因Si3N4膨胀系数低，当沉积在金属基材上时，产生较大的界面应力，对基体附着差。
CAS号：
性质： 硅氮化合物的薄膜。可用化学气相沉积和溅射法制备，通常采用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备，沉积温度低于300℃。由于Si3N4具有高硬度(块体硬度HV l7.2GPa)和优良的化学稳定性，它是很受重视的耐磨抗蚀膜，常用作微电子技术电绝缘层。但因Si3N4膨胀系数低，当沉积在金属基材上时，产生较大的界面应力，对基体附着差。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条