1) nonlinear approximation
非线性近似
1.
The results of our experimental work show its superiority over contourlets and wavelets in the nonlinear approximation(NLA).
首先,分析了目前常见的金字塔结构的冗余的来源;然后,回顾了临界抽取理论;进而,结合DFB与无冗余的金字塔结构提出了一种具有多分辨率以及多方向性的实现结构;最后,在图像的非线性近似(NLA)方面的试验表明,该方案在一定程度上优于contourlet变换以及小波变换。
2) determinant coefficient
近似非线性
1.
The regression model is proved of statistical significance by variance analysis, and the fitting effect is described quantitatively by determinant coefficient R2.
比较了非线性回归3种方法的数学原理:曲线直线化方法、非线性最小二乘方法、近似非线性法。
3) local nonlinear approximation
局域非线性近似
1.
The influence of the near region was worked out by the local nonlinear approximation method, while that of the far region was computed reite.
对近场区域影响的计算采用局域非线性近似 ;将远场区域的影响作为外部激励源 ,采用迭代方法进行计算。
4) linear and nonlinear Galerkin approximation
线性和非线性Galerkin近似
5) linear approximation
线性近似
1.
This paper compares the performance of three types of linear approximations for the dynamic security region of power system with network-reduction model.
分析比较了网络约化模型下电力系统动态安全域的3种线性近似方法的综合效能,分别为: 基于稳定域二次近似的动态安全域线性近似(Q线性近似)、基于稳定域线性近似的动态安全域线性近似(L线性近似)和基于稳定域边界法向量恒定假设的动态安全域近似(L0线性近似)。
2.
This paper presents a method to measure nonlinearity of the nonlinears models under the restricted condition and also presents a numerical standard for linear approximation acceptable curvature and bias.
测量数据处理中不同的非线性模型具有不同的非线性强度，从而使得一些非线性模型可以线性近似，而另一些选择适当的参数变换后可以线性近似，还有少数不能线性近似。
3.
Hamiltonian is derived in linear approximation for a three-dimensional anisotropic simple cubicdouble-sublattice Heisenberg ferrimagnetic model.
在线性近似下导出了三维各向异性的双子格简立方Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ亚铁磁体模型的哈密顿量，采用矩阵格林函数运动方程技术，得到了自旋波的色散关系，并给出了零温时子晶格磁矩的解析表达式，数值计算结果表明，层间和层内耦合强度之比δ＝Ｊ＿／Ｊ对亚铁磁体的性质有着重要影响。
6) nonlinear analytic technique
非线性近似解析方法
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条