说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 多基准源
1)  Multi-benchmark Resources
多基准源
1.
On Real-time Auto-calibration Technology Based on Multi-benchmark Resources;
多基准源实时自校正技术的研究
2.
By the research on the measure method and process of Fraass breaking point,the real-time auto-calibration technology based on multi-benchmark resources was used for improving the temperature measure precision,and subsection intelligent PID control strategy was adopted in order to solve the measure process model s nonlinear property.
通过对沥青弗拉斯脆点测定方法与过程的研究,采用多基准源实时自校正技术,提高温度的测量精度。
2)  doublebasicmotions
双基准源
1.
By analyzing the independence of the motion relation in gearmachining, a doublebasicmotions structure is obtained.
经运动关系独立性分析,得到了一种双基准源结构。
3)  Bandgap References
Bandgap基准源
4)  voltage reference
基准源
1.
The design of CMOS bandgap voltage reference with low power supply in temperature compensaion and current compensation technology is described in this paper.
在对传统的CMOS带隙电压基准源电路的分析和总结的基础上,集合一级温度补偿、电流反馈技术,提出一种可以在低电源电压下工作,同时输出可调的低温度系数基准源电路。
5)  Reference [英]['refrəns]  [美]['rɛfrəns]
基准源
1.
This circuit adopts a self-bias current bandgap reference in order to improve the PSRR and temperature characteristics.
该电路的主要特点是采用一种自偏置电流基准源,有很强的电源抑制比和很好的温度特性。
2.
Reference is the key part of ADC, not only providing the bias voltage and current for the system but also playing the part of the compared voltage and subtracted voltage.
基准源作为其中关键模块之一,不仅需要为系统提供精准的偏置电压和偏置电流,差分基准源还将为其提供比较电平和残差电压,它的性能将直接影响到系统指标。
3.
In order to generate a low THD Thri-phase sinusoidal reference circuit synchronous with the grid, the paper designs and experiences a kind of generator circuit by using MAX038 and detection transformer based on the clock method and PLL theory.
为获得与电网同步且低失真的三相正弦波基准源,结合“时钟法”及锁相环原理,设计了基于检测变压器和高精度波形发生器MAX038的变换电路。
6)  Reference single
基准源法
补充资料:河外射电双源和多重源
      河外射电展源中最典型的也是数量最多的(占40%)一种是双源。双源的最普遍的特征是,在相隔几万至两百万光年的距离上形成两块射电瓣(又称为子源)。证认出的光学对应体(星系或类星体)往往位于此两子源连线的中心。子源的远离光学母体的外边缘处射电亮度变化很陡,而且更接近最大值(此区域常是1″量级大小的致密成分),而向光学母体方向的则是亮度逐渐减弱的辐射延伸部分。最典型的代表是天鹅座A(见射电星系)。有时,光学母体两边是以两个强的外子源为主体的多个子源的组合结构,但仍然成为近似对称分布的所谓多重源。这种直线和对称排列的双源特征,在其所属的光学母体的致密射电区内有时能重现,就是说在不到双源的10-4~10-5的范围内,即在光学体小于0奬01(或几十光年)的区域内,仍然有成双的小致密源出现,而且里、外双源的连线基本上是一致的,例如,3C326、33C111、3C390.3、3C405等射电源。
  
  双源的普遍特性,如流量不变化,具有幂律谱 (Svv,平均频谱指数α 约为0.75), 有百分之几的线偏振而没有圆偏振,磁场为10-4~10-5高斯,射电光度强(1040~1045尔格/秒), 能量高(1058~1081尔格)等等都与一般展源相同。对双源已进行了大量的观测统计,得出的结果是两个子源的流量密度相差不大,平均只差40%。两个子源与光学母体的距离也相差不大,双源中较亮的子源更靠近光学母体,直径较小,频谱较平。两个子源之间的距离约为子源直径的 2~4倍。在双源间距为 6~100万光年的范围内,不同射电源的子源大致以同样方式膨胀和相互分离, 形成了从中心向外抛射的圆锥体(圆锥角约20°~50°)。源的光度越大,双源之间的距离越大,抛射圆锥也就越窄。射电源主轴方向(两个子源的连线方向)与光学星系主轴方向成各种交角,表明二者没有相关性。同样,射电源主轴与偏振方位角之间也没有明显的相关性。以全部双源为例进行统计,没有发现射电光度与频谱指数或展源直径或光学亮度之间有什么关系。子源明亮头部的线偏振只有百分之几,而在延伸向光学母体的局部地区的线偏振则达到百分之几十,甚至高达百分之七十。
  
  双源和多重源的这些特性提出了三个必须解决的问题:①成双的对称性和一线排列问题;②在极其稀薄的介质中,子源抛射膨胀成形而不瓦解的约束机制问题;③巨额能量的来源和转换方式以及如何向子源进行输运的问题。目前流行的模型基本上有三种:等离子体团抛射及膨胀,大质量物体的一次抛射,连续喷射束。
  
  

参考书目
   A.G.Pacholczyk,Radio Galaxies,Pargamon Press, Oxford, 1977.
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条