1) bandgap reference
带隙基准源
1.
A Curvature-Corrected CMOS Bandgap Reference;
一种低压低温漂的CMOS带隙基准源
2.
A design of ultra-low-power bandgap reference base on the subthreshold region
一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计
3.
The second-order nonlinear effect of the transistor VBE current varying with temperature in the conventional CMOS bandgap reference was analyzed.
分析了传统CMOS带隙基准源电路中三极管VBE电流随温度变化的二阶非线性效应,提出了一种对PTAT二阶温度进行补偿的方法,并在此基础上设计了一个高精度的带隙基准源电路。
2) bandgap voltage reference
带隙基准源
1.
A new structure of bandgap voltage reference with ratio-capacitance is proposed,which effectively improves the precision,reduces the power consumption of the circuit and compensates the offset voltage.
设计了一种全新的电容比例型带隙基准源,用电容比例取代了通常的电阻比例,有效地减小了电路设计误差以及电路的功耗,理论失调电压可获补偿。
2.
As a result of cooperation of a high-performance bandgap voltage reference and a sensitive regulator,the difference among those channels can be less than 3%,the ratio of output current versus external resistor is constant no matter how the value of resistor changes.
文章介绍了一种电流精确度很高的十六通道恒流LED驱动芯片,该芯片能够提供3-50mA的单通道电流能力,并且采用高性能带隙基准源和灵敏度极高的regulator,实现了恒流通道之间的电流差异低于3%,并且在外接电阻变化时输出电流与阻值的比例恒为定值。
3) Bandgap reference source
带隙基准源
1.
Bandgap reference source is an important unit in integrated circuits,which supplied reference voltage or current independent of temperature and supply voltage.
带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。
4) band gap reference
带隙基准源
1.
The high precision band gap reference is a very important part in the advanced analog and mixed-signal ICs.
二次温度补偿的带隙基准源是先进模拟和混合集成电路中的重要部分。
6) bandgap reference
带隙基准电压源
1.
A bandgap reference circuit with the nominal reference voltage adjusted accurately
一种中心值精确可调的高性能带隙基准电压源
2.
A design of a low voltage bandgap reference in 0.
13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源。
3.
A high precision,low temperature coefficient and low power bandgap reference with a start-up circuit is designed on the charter 0.
35μm标准CMOS工艺,设计了一种带自启动电路的高精度、低温漂、低功耗带隙基准电压源。
补充资料：隙流束源
分子式：
CAS号：
性质：产生分子束的装置。可分为隙流束源和超声分子束源。隙流束源(effusive beam source)是采用加热的方法使分子(如钠)蒸发，从狭缝中射出，经一准直孔把发散的分子挡掉，可得一束较窄而直的分子束射向反应室。束源出口小孔的尺寸要小于束源内分子热运动的平均自由程，束源内分子速度是按玻尔兹曼分布，分子速度分布相对较宽，发散角大，因而束强较小。隙流束源又称热束源、扩散束源、炉束源等。超声分子束源(supersonic molecular beam)气体分子从喷嘴射出，经出口孔、准直器进入真空室。其特点是束源强度大，沿轴线方向流动使束的发散性得到抑制；由于向真空绝热膨胀，温度可降低到小于20K；速度分布窄。由于马赫数M(=束流速度/声速)可达几十(超音速)，故又称超声分子速。分子束的强度即束强(beam intensity)，是单位时间通过与入射束运动方向相垂直的单位面积的粒子数。束流(beam flux)是单位时间内射到检测器上的粒子数，也称通量。
CAS号：
性质：产生分子束的装置。可分为隙流束源和超声分子束源。隙流束源(effusive beam source)是采用加热的方法使分子(如钠)蒸发，从狭缝中射出，经一准直孔把发散的分子挡掉，可得一束较窄而直的分子束射向反应室。束源出口小孔的尺寸要小于束源内分子热运动的平均自由程，束源内分子速度是按玻尔兹曼分布，分子速度分布相对较宽，发散角大，因而束强较小。隙流束源又称热束源、扩散束源、炉束源等。超声分子束源(supersonic molecular beam)气体分子从喷嘴射出，经出口孔、准直器进入真空室。其特点是束源强度大，沿轴线方向流动使束的发散性得到抑制；由于向真空绝热膨胀，温度可降低到小于20K；速度分布窄。由于马赫数M(=束流速度/声速)可达几十(超音速)，故又称超声分子速。分子束的强度即束强(beam intensity)，是单位时间通过与入射束运动方向相垂直的单位面积的粒子数。束流(beam flux)是单位时间内射到检测器上的粒子数，也称通量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条