1) PtSi
PtSi
1.
Struture of PtSi/p-Si Nanometer Films Prepared by Sputtering;
磁控溅射PtSi/p-Si纳米薄膜组织结构的研究
2.
XPS Study on Electronic Structure for PtSi/p-Si(111);
利用X射线光电子谱对PtSi/p-Si(111)的电子结构研究
3.
Influnce of Surface Disposing of Si-substrate on Cut-off Wavelength of PtSi/p-Si IR-SBD;
硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
2) PtSi
硅化铂
1.
The Analysis of the Characteristics and Application Potential for PtSi Infrared Focal Plane Detector Assemblies;
硅化铂红外焦平面探测器的特点与应用潜力分析
3) PtSi
铂化硅
1.
Technology of PtSi/Porous Si IR Detectors;
多孔铂化硅红外探测器技术
4) PtSi IRCCD
PtSiIRCCD
5) PtSi film
PtSi膜
6) PtSi film
PtSi薄膜
参考词条
PtSi IRCCD
PtSi film
PtSi film
PtSi infrared focal plane arrays (PtSi IRFPA)
ultra-thin PtSi film
PtSi/Si heterostructure
Ultrathin PtSi film
PtSi thermal imagers
PtSi infrared detector
suivivin
补充资料:PTSI
分子式:C8H7NO3S
分子量:197.21
CAS号:4083-64-1
性质:密度1.295。沸点144°C (10 mmHg)。折射率1.533-1.535。闪点145°C。水溶性reacts。
分子量:197.21
CAS号:4083-64-1
性质:密度1.295。沸点144°C (10 mmHg)。折射率1.533-1.535。闪点145°C。水溶性reacts。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。