1) low-power circuit
低功率电路
1.
Abstract In this paper, three methods for the determination of low-power circuit(adjustable resistance, calculation, EDA)and the advantage and disadvantage of each method is discussed.
文章探讨了确定低功率电路的三种方法(可变电阻器法、计算法、EDA法)及每种方法的优缺点,并运用计算法对两种基本电路进行分析,给出了可变电阻消耗功率最大的条件和简化分析低功率电路的方法。
2) low-power logic circuit
低功率逻辑电路
3) LF power amplifier
低频功率放大电路
4) low pass power filter
低通功率滤波电路
1.
PWM power amplifier connects a direct current moment motor with low pass power filter circuit.
其中,PWM功率放大器是通过低通功率滤波电路连接直流力矩电动机,该滤波电路的性能对整个系统能否正常工作起着非常关键的作用。
5) low power logic
低功率逻辑电路，低功耗逻辑
6) power circuit
功率电路
1.
This paper introduces the switch reluctance machine and the main kinds of the power circuit and, based on the principle of mechanical- electrical energy transformation, draws a conclusion that the on- off time of phase switch in power circuit must be controlled consulting inductance variation regulation.
介绍了开关磁阻电机以及功率电路的主要类型,根据机电能量转换原理,得出功率电路中相开关的通断时刻必须参考电感变化规律进行控制的结论。
2.
This paper advances a new type of wavecutter based excitation power circuit topology.
提出了一种基于斩波技术的新型励磁功率电路,理论分析表明方案可行,且达到简化装置、提高性能、降低造价的目的,给出了计算机仿真结果。
3.
The paper introduces type choosing of power converter for switched reluctance machine based on DSP, the working principle of power circuit is given.
该文介绍了基于DSP开关磁阻电机调速系统中功率变换器形式的选择,给出了本系统中功率电路工作原理,同时还给出了功率变换器主开关管的类型选用方法。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条