1) low voltage/low power(LV/LP)
低电压低功率
2) low voltage power VDMOSFET
低压功率VDMOSFET
4) low voltage and low power circuits
低压低功耗电路
5) Low-voltage and Low-power
低电压低功耗
1.
The Low-voltage and Low-power FTFN and the Research of the Application in the Analog Integrated Circuit Design;
低电压低功耗FTFN及其在模拟集成电路设计中的应用研究
6) low-power circuit
低功率电路
1.
Abstract In this paper, three methods for the determination of low-power circuit(adjustable resistance, calculation, EDA)and the advantage and disadvantage of each method is discussed.
文章探讨了确定低功率电路的三种方法(可变电阻器法、计算法、EDA法)及每种方法的优缺点,并运用计算法对两种基本电路进行分析,给出了可变电阻消耗功率最大的条件和简化分析低功率电路的方法。
补充资料:低功率激光频率转换材料
低功率激光频率转换材料
materials for low power laser frequency conversion
低功率激光频率转换材料materials for lowpower laser frequeney eonversion对半导体激光器进行直接频率转换,或对半导体泵浦的钦激光器进行频率转换的材料。这类激光源多为连续激光。其功率在几十毫瓦到瓦级,发散角约20。一300;用其泵浦的钦激光发散度较小,但仍比一般固体、气体激光差。随着半导体激光器功率、寿命、模式特性的不断提高,应用上述激光频率转换材料可制作小型、长寿命的可见光激光源,用于高密度光盘存储、彩色显示等领域。 性能要求低功率激光频率转换的技术关键是提高转换效率。通常转换效率达10%才有实用意义。为此,对材料性能要求有高二次非线性系数、相位匹配条件和透过波段。高二次非线性系数在低转换效率情况下,转换效率与二次非线性系数成正比,因而希望有大的二次非线性系数的材料。已发现的MMNONS(4一甲氧基3一甲基4H一硝基二苯乙烯)、mNA(亚硝基苯胺)和MNA(二甲基一4硝基苯胺)等有机材料具有很高二次非线性系数,但它们短波吸收边已接近500 nm。具有短吸收边,又有高二次非线性系数的有机材料正在探索中。无机材料锐酸钾(KN)、视酸钡钠(BNN)、磷酸钦氧钾(KTP)、担酸铿(LT)晶体和视酸锉(LN)晶体二次非线性系数较高,而其短波吸收边大都在400 nm,是目前有希望应用的低功率激光频率转换的材料。 相位匹配条件是获得低功率激光有效频率转换的必要条件。发散度大的激光源,临界角度匹配方法造成的失配太大。比较而言,非临界角度匹配可获得更好效果,是体块材料低功率激光频率转换的一种有效技术,但对材料要求较苛刻。在大非线性系数材料中,只有KN晶体能在较窄的温度范围(约半度)内,对特定波长(一860~)能实现半导体激光直接倍频。体块材料相位匹配的另一可行方法是用准相位匹配技术。它的效果可与非临界相位匹配相当,同时可利用材料中一些很大的、由角度或温度匹配无法利用的非线性系数分量。 此外,也可利用波导结构来实现相位匹配。它可以提高基频功率密度,利用大的二次非线性系数,获得长的非线性互作用长度,因而可望获得高的转换效率。波导结构实现相位匹配的一个方法是利用波导模式色散。它要求基频和倍频导模的有效折射率相等,但难以获得较大的交叠积分,因而效果不太理想。利用切伦可夫辐射方式实现波导模相位匹配较为简便,其交叠积分也较大。目前已开发出一种把波导结构与准相位匹配相结合的方法,对半导体激光倍频已经获得高达3%的转换效率。 对半导体激光泵浦的钦激光倍频,已发展了一种利用可控反馈的谐振腔式相位匹配方法。
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参考词条