1) domain wall
畴界
1.
P1 is attributed to fluctuations near a 2nd-order phase transition and P2 is related to domain walls (DWs).
考虑到Ｔｃ附近序参量以及由之而引起的畴界密度和畴界运动的粘滞系数随温度的显著变化，计算了与畴界运动有关的内耗和介电损耗，并和实验结果进行了比较。
2.
90°domain walls and anti - phase boundaries are found.
研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好。
2) ordered domain interface
有序畴界
1.
Microscopic phase-field model was used to simulate the ordered domain interfaces formed between L1_2 phases(Ni_3Al)in Ni-Al-V alloy.
利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L1_2(Ni_3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究。
2.
Using the simulated microstructures and the occupation probabilities of alloy elements at interfaces,the structure and migration characteristics of ordered domain interfaces formed between DO_(22) and L1_2 phases are investigated and the mechanism of the phase transformation from DO_(22) to L1_2 is proposed.
研究了异相间有序畴界的结构及其迁移特征,提出了DO_(22)到L1_2相变过程的机制。
3) inversion domain boundary
倒反畴界
4) antiphase boundary
反相畴界
1.
Theoretical investigation of Ni_3Fe antiphase boundary;
Ni_3Fe合金反相畴界结构和能量研究
2.
Calculation of the antiphase boundary and site preference in Fe_3Al;
Fe_3Al反相畴界及择优代位的对势计算
3.
Energy calculation of the antiphase boundary and stacking fault in intermetallic compound of Ni_3Al by MAEAM;
金属间化合物Ni_3Al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算
5) definitive category
义界范畴
6) domain boundary energy
畴界能
补充资料：反相畴界
反相畴界
antiphase domain boundary
雾爆赢及，黑黔辈之奎吵boundary单晶体中序合金中常观察到反相畴界。例如在CuZn合金的高温无序相中，Cu和Zn原子完全无规地分布在体心立方晶格的顶点和体心两种晶格位置上，两者完全等效，因一，1、。，，，，、、。。~~~~，一~、。一一，_，而(青)〔111]就是晶格平移矢量。在低温有序相中，j.叨、2产“古占~，Jy“~曰p，“’‘.少/、主。’协’幼巡’门尹J一“只”它们分别为Cu和Zn原子所占据，因此两种晶格位置不等效，肖〔 In:在有序合金中就不再是晶格平移一”J~，、2尹““‘“阵门尹J曰~’毋“一”~~朋川’‘.少矢量，作此平移就可以形成反相畴界，这是反相畴界的一种形成方式。在铁电体中也存在反相畴界。反相畴界的另一种形成方式是在固溶体从无序转变到有序过程中，在晶体中各个不同地点发生的有序小区域从成核到长大到彼此相遇而停止生长时，同位相者合并成一较大畴区，反位相者则形成畴界。 有序固溶体中，异类原子配对较同类原子配对具有更低的能量。但是，由于反相畴界的存在不改变键长和键角，虽然改变配位原子类型，界面能量不高，因而是有序固溶体中常见的一种界面。配位原子类型的变化可以不改变两类原子数之比，称保守界面;也可以改变两类原子数之比，而为非保守界面。后一种反相畴界的出现显然是容纳化学配比偏离的一种有效方式。 (吴希俊)
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参考词条