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1)  single translation domain boundary
单个平移畴界
1.
The micro-diffraction from a single translation domain boundary (TDB) in β-Ni 3Nb phase was taken by HF-2000 FEG TEM microscope.
本文采用 HF- 2 0 0 0 FEG电镜对 Zhang等[7] 已经用 HR- TEM高分辨技术研究的 β- Ni3 Nb相的几种单个平移畴界进行了相干电子微衍射研究 ,不但对已发现 R1=[1/ 2 ,0 ,0 ]和 R2 =1/ 4 [10 2 ]型平移畴界进行了微衍射分析 ,而且发现了 R5=[1/ 4 ,1/ 2 ,0 。
2)  single-domain critical size
单畴临界尺寸
1.
The size at which a ferroelectric changes from muti-domain to single-domain is called the single-domain critical size, and the size below which ferroelectricity disappears is called the ferroelectric critical size.
发生多畴到单畴变化的尺寸称为单畴临界尺寸,发生铁电-顺电相变的尺寸称为铁电临界尺寸。
3)  BbBShift
逐个平移
1.
MSBShift and BbBShift are improved based on Maxshift .
最重要平移和逐个平移法在最大位移法的基础上进行了改进、实验结果表明,该方法可行且性能优越。
4)  translation bounded
平移有界
5)  domain wall
畴界
1.
P1 is attributed to fluctuations near a 2nd-order phase transition and P2 is related to domain walls (DWs).
考虑到Tc附近序参量以及由之而引起的畴界密度和畴界运动的粘滞系数随温度的显著变化,计算了与畴界运动有关的内耗和介电损耗,并和实验结果进行了比较。
2.
90°domain walls and anti - phase boundaries are found.
研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好。
6)  critical radius of single-domain particle
单畴微粒的临界半径
补充资料:反相畴界


反相畴界
antiphase domain boundary

  雾爆赢及,黑黔辈之奎吵boundary单晶体中序合金中常观察到反相畴界。例如在CuZn合金的高温无序相中,Cu和Zn原子完全无规地分布在体心立方晶格的顶点和体心两种晶格位置上,两者完全等效,因一,1、。,,,,、、。。~~~~,一~、。一一,_,而(青)〔111]就是晶格平移矢量。在低温有序相中,j.叨、2产“古占~,Jy“~曰p,“’‘.少/、主。’协’幼巡’门尹J一“只”它们分别为Cu和Zn原子所占据,因此两种晶格位置不等效,肖〔 In:在有序合金中就不再是晶格平移一”J~,、2尹““‘“阵门尹J曰~’毋“一”~~朋川’‘.少矢量,作此平移就可以形成反相畴界,这是反相畴界的一种形成方式。在铁电体中也存在反相畴界。反相畴界的另一种形成方式是在固溶体从无序转变到有序过程中,在晶体中各个不同地点发生的有序小区域从成核到长大到彼此相遇而停止生长时,同位相者合并成一较大畴区,反位相者则形成畴界。 有序固溶体中,异类原子配对较同类原子配对具有更低的能量。但是,由于反相畴界的存在不改变键长和键角,虽然改变配位原子类型,界面能量不高,因而是有序固溶体中常见的一种界面。配位原子类型的变化可以不改变两类原子数之比,称保守界面;也可以改变两类原子数之比,而为非保守界面。后一种反相畴界的出现显然是容纳化学配比偏离的一种有效方式。 (吴希俊)
  
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