1) high performance polymer modified bitumen
高性能聚合物改性沥青
1.
Gussasphalt with high performance polymer modified bitumen has a longer fatigue life and a lower breaking temperature; they can be used in the .
高性能聚合物改性沥青浇注式混合料具有较长的疲劳寿命和较低的断裂温度 ,可用于钢桥面浇注式沥青铺装 。
2) modified pitch of high polymer
高分子聚合物改性沥青
4) Polymer modified asphalt
聚合物改性沥青
1.
Research on performance of polymer modified asphalt
聚合物改性沥青性能的研究
2.
The low temperature force-ductility performances of SBS,SBR,EVA,PE polymer modified asphalts were studied by force-ductility tests.
利用自制测力延度仪对SBS,SBR,EVA,PE聚合物改性沥青的低温测力延度特性分别进行了测试研究,分析了聚合物种类及掺量对聚合物改性沥青延度、最大拉力和粘韧性等低温测力延度指标的影响。
3.
Introduced in this article are the unconventional methods of testing the polymer modified asphalt which is widely used in current China.
本文对目前中国应用较广的几种聚合物改性沥青非常规试验方法及评价指标在近几年的研究内容及成果作一简要介绍及评
5) polymer modified bitumen
聚合物改性沥青
1.
Self-adhered polymer modified bitumen waterproofing membrane and its standard;
自粘聚合物改性沥青防水卷材及其标准
2.
Thy results of conventional tests (penetration, softening point, kinematical viscosity and Fraass breaking point) and those of dynamic mechanical analysis (DMA) on Styrene Butadiene Styrene (SBS) polymer modified bitumen are systematically compared.
将苯乙烯 -丁二烯 -苯乙烯 ( SBS)聚合物改性沥青用常规试验方法 (针入度、软化点、动粘度及脆点 )与动态力学分析方法所得到的试验结果进行比较研究 。
6) polymer modified bitumen membrane
聚合物改性沥青卷材
补充资料：高性能金属-氧化物-半导体集成电路
器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小，其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术，简称HMOS。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条