1) doped tungsten oxide
掺杂氧化钨
2) Ce-doped tungsten trioxide
铈掺杂三氧化钨
3) doped blue tungsten oxide
掺杂蓝色氧化钨
4) Ti-doped WO_3 film
钛掺杂氧化钨薄膜
5) In_2O_3:W
掺钨氧化铟
1.
Transparent conductive oxide films of both In_2O_3:Mo (IMO) and In_2O_3:W (IWO) were successfully fabricated by using DC reactive magnetron sputtering from metallic targets of In/Mo and In/W, respectively.
本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In/Mo和In/W制备高价态差掺钼氧化铟(In_2O_3：Mo，IMO)和掺钨氧化铟(In_2O_3：W，IWO)透明导电薄膜，详细研究了氧分量、溅射电流、沉积温度等工艺参数对IMO和IWO薄膜电学和光学性能的影响；利用XRD，AFM，XPS等分析手段对薄膜进行表征；也采用渠道火化烧蚀技术沉积了IMO薄膜。
6) oxidative doping
氧化掺杂
1.
Conductivity and oxidative doping of polysilane;
聚硅烷导电性能及氧化掺杂
补充资料：氧化钨
CAS: 1314-35-8
分子式: WO3
分子质量: 231.85
熔点: 1473℃
中文名称: 氧化钨；三氧化钨；钨酸酐
英文名称: Tungsten oxide；Tungsten trioxide；Tungstic acid anhydride；Tungstic oxide；tungsten trioxide
分子式: WO3
分子质量: 231.85
熔点: 1473℃
中文名称: 氧化钨；三氧化钨；钨酸酐
英文名称: Tungsten oxide；Tungsten trioxide；Tungstic acid anhydride；Tungstic oxide；tungsten trioxide
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条