4) Cr-doped V_2O_3 nano-powder
掺铬三氧化二钒粉体
5) doped tungsten oxide
掺杂氧化钨
6) In_2O_3:W
掺钨氧化铟
1.
Transparent conductive oxide films of both In_2O_3:Mo (IMO) and In_2O_3:W (IWO) were successfully fabricated by using DC reactive magnetron sputtering from metallic targets of In/Mo and In/W, respectively.
本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In/Mo和In/W制备高价态差掺钼氧化铟(In_2O_3：Mo，IMO)和掺钨氧化铟(In_2O_3：W，IWO)透明导电薄膜，详细研究了氧分量、溅射电流、沉积温度等工艺参数对IMO和IWO薄膜电学和光学性能的影响；利用XRD，AFM，XPS等分析手段对薄膜进行表征；也采用渠道火化烧蚀技术沉积了IMO薄膜。
补充资料：掺钕钒酸钇激光晶体
分子式：Nd:YVO3
CAS号：
性质：四方晶系锆英石结构单晶体。空间群D4h19-I4/amd。密度4.23g/cm3。莫氏硬度5.0。熔点1635～1730℃。热膨胀系数7.3×10-6/℃(⊥c)。热导率5.1W/(m·K)(⊥c)。折射率n0=1.86，ne=1.88。荧光寿命98μs。F2/3-4I11/2。跃迁波长1.064μm。晶体激光阈值低，效率高，受激发截面大(为20×10-19cm2)，吸收线宽。采用提拉法、浮区区熔等法制备。用于制作LD泵浦。
CAS号：
性质：四方晶系锆英石结构单晶体。空间群D4h19-I4/amd。密度4.23g/cm3。莫氏硬度5.0。熔点1635～1730℃。热膨胀系数7.3×10-6/℃(⊥c)。热导率5.1W/(m·K)(⊥c)。折射率n0=1.86，ne=1.88。荧光寿命98μs。F2/3-4I11/2。跃迁波长1.064μm。晶体激光阈值低，效率高，受激发截面大(为20×10-19cm2)，吸收线宽。采用提拉法、浮区区熔等法制备。用于制作LD泵浦。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条