1) dc breakdown
直流击穿
1.
Temperaturedependent dc breakdown in BaTiO\-3based multilayer ceramic capacitors(MLCs)is studied.
研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器(MLCs)直流击穿与温度的关系。
2) Constant self-breakdown voltage
直流自击穿电压
3) DC breakdown voltage
直流击穿电压
4) breakdown current
击穿电流
1.
Then,through analysing the value of breakdown current of series resonant device with variable frequency,it is considered that the breakdown current wouldn t hurt the object under test further.
重点分析了调频式串联谐振耐压装置现场试验时可能出现品质因数Q值上不去的原因及相应的防止措施,对该装置耐压试验击穿电流进行了详细的分析,指出其对被试品不会造成进一步的损伤。
5) current breakdown
电流击穿
6) prebreakdown current
预击穿电流，击穿前电流
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条