1) Hall measurement
霍尔测量
1.
The high temperature Hall measurement of Sn~(4+) doped nano α-Fe_2O_3;
掺锡纳米α-Fe_2O_3的高温霍尔测量
2.
Hall measurement is widely used in measuring the electrical properties of semiconductor materials.
霍尔测量是研究半导体材料性质的重要实验方法 ,文中设计、建立了一套计算机辅助测量系统 ,它能自动采集和处理数据。
2) Hall measurement method for crystal ingot
锭条霍尔测量法
4) Hall measurement
霍尔测试
1.
In and Ti/Al/Ni/Au were used separately in making the electrodes of Hall measurement for GaN HEMT epilayers,and the samples were tested.
分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试。
5) Holl detection
霍尔检测
1.
The corresponding relationship of magnetic field intensity component HZ and displacement r is derived; the relation of levitation position and magnetic field distribution is calibrated by Holl detection experiment.
采用解析方法求出永磁体悬浮系统磁场分布,推导得到磁场强度分量HZ与永磁体位移 r具有惟一对应关系;采用霍尔检测试验逐点测量磁场与永磁体位置之间关系,验证解析模型。
6) Hall flowmeter
霍尔流动性测量仪
补充资料：半导体材料霍尔系数测量
半导体材料霍尔系数测量
Hall coefficient measurement for semiconductor material
bandaot一Calliao huoerx一shu Cel一Qng半导体材料公耳系数测里(Hall eoeffieientmeasurement for semieonduetor material)在电场作用于一可导电物体的同时加以磁场，将在该导电物体上，同时垂直于电场和磁场的方向上建立起一个新的电场，称为霍耳效应。半导体材料的霍耳效应比金属材料的霍耳效应尤为显著，它表征着半导体材料的某些基本特征，广泛用于半导体材料物性的测量。 一半导体材料在其x方向通以电流J二，在z方向加以均匀的磁场B:，在磁场中运动的荷电粒子洛劳仑兹力的作用，则在夕方向产生霍耳电场E，: E，=RHJxBz粤矛少、了 1 、-一一’一_一* 一艺卜户 工·口11州飞七犷衍· 洲‘针飞本 霍耳效应原理图式中J，为x方向电流密度，A/mZ;B二为z方向磁感应在测量霍耳系数的同时测出电阻率来，可计算出强度，T;E，为y方向霍耳电场，v/m;RH为霍耳系数，霍耳迁移率产n一{RH!氏m3/C。霍耳效应原理如图所示。由于半导体的性质依赖于温度，因此可利用霍耳 半导体材料中存在着电子和空穴两种载流子，根系数随温度的变化来确定杂质能级、禁带宽度以及迁据理论计算可知霍耳系数RH和两种载流子浓度之间移率的温度特性等，从而对材料的质量作出相应的估有如下关系:价。 _/、户一n护(冯仪) R“一一X‘一，二吮、‘’一 ‘、P+n犷式中￡为电子电量，C泌一群n/群p，为该半导体材料的电子迁移率与空穴迁移率之比;n和p分别为半导体材料中电子和空穴的浓度，。m一3;r是接近于1的比例因子，与散射机构、温度、能带结构和磁场强度等有关。对于。型半导体，刀》，，R一素;对于p型半导体，，》、，RH、粤。可见，根据霍耳系数的符号可判定半导体 eP材料的导电类型，霍耳效应的值可计算出载流子浓度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条