1) SiO_2-TiO_2-ZnO-CaO film
SiO2-TiO2-ZnO-CaO薄膜
1.
The SiO_2-TiO_2-ZnO-CaO film was coated on the surface of stainless steel by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法在不锈钢表面制备了SiO2-TiO2-ZnO-CaO薄膜,用差热分析(DTA)、失重分析(TG)、红外光谱(IR)和X射线衍射分析(XRD)研究了薄膜的热变化过程及晶相转变行为,利用电子显微镜观察分析了不同组成的溶胶-凝胶涂层的抗酸性和高温抗氧化性。
2) Si
Si
1.
DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure;
DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文)
2.
ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel;
ICP-AES法测定超高强度钢中Mn,Si,Al,Ti,Nb,La杂质元素
3.
Effects of Trace Si,Ba and Sn on the As-cast Microstructure of AZ91 Magnesium Alloy;
微量Si、Ba、Sn对AZ91铸态组织的影响
3) Silicon
Si
1.
Mechanism of effect of nutrient silicon and water temperature on phytoplankton;
营养盐Si和水温影响浮游植物的机制
2.
Silicon, aluminium and other, a total of 10 elements in different kinds of biological samples, were measured by ICP-AES.
探讨不同种类生物样品中Si和Al等10种元素的测定方法,采用干灰化结合偏硼酸锂碱熔灰分的前处理方法,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定试样中Si和Al以及Ca,Mg,Fe,Na,P,Mn,Sr,Ti。
3.
This suggests that sodium attack of both aluminium and Al-12%Si alloy is the result of a reaction between sodium and the silicon contained in the aluminium.
本文研究了纯Al及Al－12％Si合金在液态Na中的腐蚀特性。
4) Si)
Si）
5) a-Si
a-Si
1.
Inner circuit and noise equivalent temperature difference (NETD) of the a-Si FPA were analyzed and the equation of NETD was deduced at length.
本文根据对a-Si微测辐射热计焦平面内部的微观电路结构和噪声等效温差(noise equivalent temperature difference,NETD)的分析,经过详细地推导NETD公式,认为可调节两个偏置电压,使焦平面可以在较低的温度下稳定工作。
2.
In this dissertation，preparation and thermoelectric characterization of conventional silicon-based materials and devices have been studied, including amorphous silicon (a-Si) films, polycrystalline silicon germanium (polySiGe) films and amorphous silicon thin-film-transistors (a-Si TFT).
本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性，开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式测辐射热计，在国际上首次提出并实现了基于a-Si TFT的室温红外探测器单元与8×8阵列原型，器件初步具备了室温红外热成像的能力。
6) Si/Si
Si/Si
参考词条
n-Si/p-Si
Si/SiGe/Si HBT
Si粉
Si-MCM-41
Fe-6.5%Si
Si相
Al-3%Si
Al-Si
Si-OH
αFe（Si）
SI制
Bi-Si
Si（OR）4
Si/Al
Si（硅）
Si区
Si桥
Mg2 Si
压结体
LAGFD-WAM海浪模式
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。