2) room-temperature ferromagnetism
室温铁磁性
1.
Recently,there have been many reports about the room-temperature ferromagnetism of 3d transition-metal-doped ZnO.
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-m etal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道。
2.
All samples exhibited room-temperature ferromagnetism (RTFM) after being hydrogenated in 10% H-2/Ar mixed atmosphere for 1 hou.
利用固相反应法在700℃—1000℃不同的温度下、空气中烧结Co3O4和TiO2混合物,制备了(Co_3O_4)_x/3(TiO_2)_(1-x)(0
3.
In this paper, we report experimentally on the FM in undoped, as well as V and Cr-doped TiO2, and the studies emphasis on the the room-temperature ferromagnetism (RTFM) and its origin.
本文致力于未掺杂、V掺杂和Cr掺杂TiO2的磁性的实验研究,关注点是室温铁磁性及其来源。
3) Room temperature ferromagnetism
室温铁磁性
1.
The room temperature ferromagnetism in Co-doped ZnO films with different carrier concentration fabricated by the sol–gel method at different annealing atmospheres was investigated.
用溶胶–凝胶法制备的钴掺杂氧化锌薄膜在不同气氛下退火后均显示室温铁磁性,并且具有不同的载流子浓度。
2.
Cu doped ZnO powder was prepared by the sol-gel method in order to study the origin of room temperature ferromagnetism of ZnO-based diluted magnetic semiconductors.
为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末。
4) ferromagnetism
[英][,ferəu'mægnətizəm] [美][,fɛro'mægnətɪzəm]
室温铁磁性
1.
The origin of ferromagnetism(FM) in DMSs remains a very controversial topic.
首先,探索出能够制备出具有单一纤锌矿结构具有室温铁磁性的Co掺杂ZnO基稀磁半导体粉末样品的工艺。
2.
The room temperature ferromagnetism of Zn1-xFexO(x=0.
磁性测量表明,所有的样品都具有室温铁磁性,而且随着掺杂量的增加样品的饱和磁化强度增加。
6) room temperature ferromagnetic semiconductor
室温铁磁性半导体
1.
The microstructure of the room temperature ferromagnetic semiconductor Zn_(1-x)Co_x- O_(1-δ) was investigated by analytical electron microscopy.
利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO_(1-δ)进行了微观表征。
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条