1) room temperature magnetoresistance
室温磁电阻
1.
Electrical behavior and enhancement of room temperature magnetoresistance induced by the Cu doping in La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3;
La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响
2.
The experiment also showed that doping W can gradually increase the room temperature magnetoresistance of the material.
05时,样品的室温磁电阻迅速上升,从4%增加到10。
3.
4 T,the room temperature magnetoresistance increases from 5% to 15% when 0≤x≤ 12.
5%时,样品的室温磁电阻值从5%增大到15%,提高了200%。
3) room-temperature and low-field magnetoresistance
室温低场磁电阻
4) Low-field magnetic resistance at room temperature
低场室温磁电阻
6) room temperature resistivity
室温电阻率
1.
The influence of cooling rate on the room temperature resistivity of PTCR ceramics was studied emphatically.
着重研究降温速率对PTCR室温电阻率的影响。
2.
Resistivity-temperature characteristic of the material and dependences of it s room temperature resistivity and technological parameters on the dopants are discussed.
４））ＴｉＯ_３为基质，掺杂Ｙ三价施主元素及ＡＳＴ，选用最佳烧制工艺，制成了具有较低室温电阻率及较优电阻温度系数的低居里点（～０℃）突变型ＰＴＣ材料。
3.
In order to reduce the room temperature resistivity of BaTiO_3-based PTC ceramics, BaTiO_3-based PTC ceramic particles were mixed with graphite particles and the composite materials were molded with epoxy resin.
本实验在BaTiO_3基PTC陶瓷颗粒中掺入石墨颗粒并利用环氧树脂使复合材料成型,以此来降低BaTiO_3基PTC陶瓷的室温电阻率。
补充资料：室温磁制冷（magneticcoolingatroomtemperature）
室温磁制冷（magneticcoolingatroomtemperature）
磁性物质在外磁场的作用下，其磁熵变为`\DeltaS_m(T,bb{H})=int_{H_1}^{H_2}(\frac{\partialM}{\partialT})_Hdbb{H}`，其中M为磁性物质的自发磁化强度，由M(T,H)的计算可知ΔSm∝J(J 1)×g2/(T-Tc)2)，亦即角动量J、朗德因子g和居里点温度Tc决定了磁熵变ΔSm，尤其是Tc。将Tc在室温附近的磁性材料作为制冷工质，可以在温度接近Tc的温区中得到很大的磁熵变，由ΔQ=TΔS即获得了室温区的制冷量。20世纪70年代后期人们利用金属钆及其合金作为工质，在0～7Tesla的磁场中循环得到了制冷的效果。近年来国际上利用Gd5(Si2Ge2)合金取得了更好的结果，在钙钛矿结构的LaCaSrMnO的锰系氧化物中，由于其不同的组分有不同的居里点温度而成为一种很有前途的磁制冷工质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条