1) a Si:H films
Si:H薄膜
1.
By decomposing SiH 4 in this source the deposition rates of a Si:H films can be higher than 2 nm/s.
应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了 2nm/s以上的高沉积速
2) a-Si:H film
a-Si:H薄膜
1.
Investigation of a-Si:H film characteristics influenced by magnetic field gradient in MWECR CVD plasma system;
MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究
3) μc-Si:H film
μc-Si:H薄膜
4) hydrogenated nanocrystalline silicon film
nc-Si:H薄膜
1.
Preferred growth of nanosized crystal silicon in doped hydrogenated nanocrystalline silicon film;
掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
5) Si:H thin film
α-Si:H薄膜
6) P-doped a-Si:H thin film
掺磷a-Si:H薄膜
参考词条
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
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