1) chip single layer high voltage ceramic capacitors
片式高压单层陶瓷电容器
2) high voltage MLCC
片式高压多层陶瓷电容器
1.
The mechanism on breakdown of chip high voltage MLCCS was researched by the analyses of the detailed experimental data.
根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。
3) multilayer chip ceramic capacitor(MLCC)
片式叠层陶瓷电容器
4) multilayer ceramic capacitors
片式多层陶瓷电容器
1.
The three-terminal multilayer ceramic EMI filters made on the basis of multilayer ceramic capacitors exhibit superior filtering characteristics.
利用电容器的阻抗特性,在传统的片式多层陶瓷电容器内部结构基础上进行重新设计,制成了滤波性能更优异的片式多层陶瓷三端EMI滤波器;这种EMI滤波器具有低的等效串联电阻和低的直流电阻。
5) MLCC
片式多层陶瓷电容器
1.
The central technology involved in base metal electrode (BME) MLCC are introduced and the progress of nickel electrode MLCC are reviewed in this paper.
介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。
2.
Two kinds of lastest developed scale production processes of MLCC are described through introducing the technological processes and principle key technologies and quality assurance.
着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足之处。
6) single layer capacitor,SLC
单层陶瓷电容器
补充资料：钛酸锶基晶界层电容器陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：一种以钛酸锶晶粒为主晶相具有高绝缘性晶界的陶瓷材料。属钙钛矿型结构。用于制作界层电容器。制备时有两种烧结工艺：二次烧成型和一次烧成型。二次烧成型是在1400℃还原气氛(氨和氢气)下烧结，再在1200℃下在空气中进行晶界绝缘化处理；一次烧成型是把烧结和晶界绝缘化处理合并一次烧成。一次烧成型电容器的表观介电常数可达4万以上，二次烧成型可达10万以上，两者体积电阻率ρ>1010Ω·cm，介质损耗角正切tgδ<1.5％，电容温度变化率△C/C<±15(-30～+85℃)。
CAS号：
性质：一种以钛酸锶晶粒为主晶相具有高绝缘性晶界的陶瓷材料。属钙钛矿型结构。用于制作界层电容器。制备时有两种烧结工艺：二次烧成型和一次烧成型。二次烧成型是在1400℃还原气氛(氨和氢气)下烧结，再在1200℃下在空气中进行晶界绝缘化处理；一次烧成型是把烧结和晶界绝缘化处理合并一次烧成。一次烧成型电容器的表观介电常数可达4万以上，二次烧成型可达10万以上，两者体积电阻率ρ>1010Ω·cm，介质损耗角正切tgδ<1.5％，电容温度变化率△C/C<±15(-30～+85℃)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条