1) Mg film
Mg膜
1.
The as deposited Mg film exhibits a preferred orientation and a typical columnar crystalline structure.
采用热蒸发法制备了纯Mg膜及Mg_(78)Ni_(22)合金膜,研究了薄膜的结构及其氢化性能。
2) Mg-Ni film
Mg-Ni薄膜
3) Mg-Co alloy
Mg-Co合金膜
4) Mg-Cu-Y films
Mg-Cu-Y薄膜
1.
Mg-Cu-Y films were deposited on AZ31 alloy by unbalanced magnetron sputtering.
采用非平衡磁控溅射方法在AZ31镁合金表面沉积Mg-Cu-Y薄膜,以纯铜和Mg65Cu25Y10合金作为溅射靶材,选则Mg65Cu25Y10单靶、Mg65Cu25Y10靶和铜靶双靶两种方式分别进行溅射沉积。
5) Tb-Mg-Ni alloy film
Tb-Mg-Ni合金膜
1.
Although Tb(Ⅲ)and Mg(Ⅱ) can not be reduced to Tb and Mg alone,they can be inductively codeposited with Ni(Ⅱ) to obtain an amorphous Tb-Mg-Ni alloy film by potentiostatic electrolysis.
由恒电位电解法得到非晶态的Tb-Mg-Ni合金膜。
6) Tb-Mg-Co alloy film
Tb-Mg-co合金膜
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条