1)  low dielectric constant films
低介电常数介质薄膜
2)  low dielectric coefficent
低介
3)  lowering medium consumption
低介耗
1.
Because of these,the plant can use clean water to wash coal and lowering medium consumption so that it reaches the international level,less than 0.
6kg/t的国际先进水平的低介耗,各项生产技术经济指标总体上好于设计指标。
4)  reduction of media consumption
降低介耗
5)  Low dielectric constant
低介电常数
1.
Development of low dielectric constant polymer;
低介电常数聚合物研究进展
2.
Recent research and development of low dielectric constant mate rials;
新型低介电常数材料研究进展
3.
Nanoporous silica films have received significant attention in the ultra large scale integrate(ULSI) devices as an intermetal dielectric(IMD),because of their uniqe properties,such as ultralow dielectric constant(k).
超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。
6)  low permittivity
低介电常数
1.
The research progress in the main microwave dielectric ceramics with low permittivity in recent decade is reviewed.
综述了国内外低介电常数微波介质陶瓷近10年来的研究进展,总结了低介电常数微波介质陶瓷的晶体结构、成分体系和烧结工艺等相互之间的制约关系,以及对介电性能影响的规律;归纳了研究中存在的问题,并对其它的低介电常数微波介质陶瓷也进行了简要介绍。
2.
This material with low permittivity is expected to .
这种材料有望替代聚酰亚胺/二氧化硅复合材料,作为低介电常数的微电子介质材料。
参考词条
补充资料：复介电常数


复介电常数
complex dielectric constant

　　倒￡“ED(t)=“(田)及cos田t+￡，，(留)凡sin山t(1)相角子，即式中:/(。卜会cos“(。)，:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下，D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中，相位占和了、了都是频率的函数，且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位，另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示，且令君*=Eoe，“‘，D*=Doej(“一泞)，则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已，则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。，“， 静态时，。=0、占=0。即￡，，=O，式(3)可表示为D=二，(0)E，其中￡，(O)即为静态介电常数￡s。可见，g(。)是静态介电常数在交变场下的推广，e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时，在真空电容器中，电流虽然超前电场二/2，但由于占=0，而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中，单位时间、单位体积中损耗的能量评，可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示，即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示，而弛豫时间为 根据复介电常数定 义，由式(4)并经简化 处理后可得 ￡*(臼)=￡‘(臼)一j￡“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一，犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式，用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时，则得已=昆+65一三.l+田2r2(￡。一氛)田T1十田2丁2 已，，tg口一=万，二 Q(‘s一几)田丁￡s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5，合(￡·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大，因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角，tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中，若置介质于平板电容器中，并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.，_L一~~，卜。尸。
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