1) density of surface vacancy
表面空位密度
2) surface site densities
表面位密度
3) areal density
表面密度
4) surface density
面密度;地表密度
5) Surface state density
表面态密度
6) hole-sheet-density
空穴面密度
1.
In this paper,static state and quasi-static state models of quantum well channel hole-sheet-density of SiGe p-metal-oxide-semiconductor with δ -doping-layer are established and analyzed.
建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 。
补充资料：非密度制约因素(见密度制约因素)
非密度制约因素(见密度制约因素)
l焦非密度制约因素见生态因素、密度制约后
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条