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1) nanoimprint lithography
纳米压印光刻
1.
Research on Principle and Process Control of Nanoimprint Lithography;
纳米压印光刻技术原理与实验研究
2.
This paper presented a method for manufacturing nano-structure- nanoimprint lithography.
研究了一种新型的纳米结构制作方法———纳米压印光刻技术 。
3.
By comparison with conventional lithography, the resolution of nanoimprint lithography (NIL) is independent on many factors that restrict the resolution of conventional lithography, such as wave diffraction and scattering, so it can break the resolution limit of conventional photolithography, and therefore it has been recognized as one potential approach to fabricate sub-.
与传统光刻相比,纳米压印光刻的分辨率不受光的衍射和散射等因素的限制,可突破传统光刻工艺的分辨率极限,因而被认为是一种获得100nm以下图案较好的下一代方法。
2) Nanoimprint Lithography
纳米压印光刻技术
1.
T he principles,advantages,disadvantages and R&D of Extreme Ultraviolet Lithograph y(EUVL),Immersion Lithography,Nanoimprint Lithography and Maskless Lithography(M L2)are stressed,and the prospects of them are described.
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
3) nanolithography
纳米光刻
1.
Numerical simulation of probe induced surface plasmon resonance coupling nanolithography;
数值模拟探针诱导表面等离子体共振耦合纳米光刻
2.
The fabrication of nanostructures,an important part of nanotechnology,is based upon nanolithography which will be widely employed in the future.
纳米光刻技术是制作纳米结构的基础,具有重要的应用前景。
3.
The fabrication of nanostructures, an important part of nanotechnology, is based upon nanolithography which will be widely employed in the future.
纳米光刻技术是制作纳米结构的基础 ,具有重要的应用前景 。
4) nanometer lithography
纳米光刻
1.
In the application of nanometer lithography, two gratings with similar periods were chosen for alignment marks on the wafer and mask respectively.
在纳米光刻中,采用周期相差不大的两光栅分别作为掩模和硅片上的对准标记。
5) nano lithography
纳米光刻
1.
These techniques include molecular assembly, arrangement of nano particles, scanning force microscopy fabrication and nano lithography based on photon beam, electron beam, and ion beam.
结果 对基于分子组装与纳米光刻的纳料制造技术给予很大的重视 。
2.
The projection electron beam lithography with angular limitation(PEBL)is potentially one of the most attractive techniques for nano lithography in the21st Century.
具有角度限制的电子束投影曝光技术有可能成为21世纪最有潜力的纳米光刻技术之一。
6) imprint lithography
压印光刻
1.
Study on mold fidelity for IC imprint lithography;
集成电路压印光刻中压印模具的保真度研究
2.
In the nanoimprint lithography process, a mathematical equation is formulated to demonstrate the relationship of the residual resist thickness and the pressing force during pressing the template toward the resist-coated wafer.
从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据。
3.
Asymmetric resist profile induced by spin coating and polymerization of resist with anomalous profile in exposure process are main problems in imprint lithography alignment.
针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题,利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理,提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法。
补充资料：看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术
纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时，除了要解决纳米材料的制备技术之外，重要的是要解决好纳米材料的应用技术，其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分（即聚合物材料）之间处于适当的结合状态。印染中，纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。 制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法，适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能，粒子极易自发团聚，利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此，要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料，必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体，将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程： 高分子溶液（或乳液）共混：首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液（或乳液），然后加入无机纳米粒子，利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液（或乳液）中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2，搅拌均匀，再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后，改性不饱和聚酯。 熔融共混：将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后，双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子，分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂，然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明，将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼，在聚合物中可以达到纳米尺度分散，获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维，对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上（美国AATCC－100标准）。 机械共混：将偶联剂稀释后与碳纳米管混合，再与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具，热压，制得功能型纳米复合材料。 聚合法：利用纳米SiO2粒子填充（Poly（HEMA））制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸（HEMA）功能化，然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性，加入碱性单体4－乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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