1) InGaAs photodiode array
InGaAs光电二极管阵列
2) Photodiode array
光电二极管阵列
1.
Analysis of black tea theaflavins by HPLC-photodiode array detector.;
红茶茶黄素类化合物的高效液相色谱-光电二极管阵列检测
2.
In order to get high dynamic range of multi-channel spectra,A circuit design for photodiode arrays is developed optically.
为实现高动态范围多通道光谱测量,优化设计了光电二极管阵列S3924驱动电路。
3.
A high precision data gathering system of photodiode array based on USB was designed in the paper.
介绍了一种基于USB的光电二极管阵列数据采集系统的设计方案。
4) photodiode array
光电二极管列阵
1.
By introducing a photodiode array as photoelectric sensor, a new scheme of optical multichannel analyzer is developed based on 4400 signal detection and analysis system.
基于4400系统,通过引入光电二极管列阵作为传感器,构造了具有光学多道分析功能的信号处理系统。
2.
In this paper is presented a newly-designed photodiode array, CL512J sensor, which can satisfy various requirements of different photodiode array, with explanation of its working principle, device design (including the design of its photosensitive element, the design of its scanning circuit, and its layout design), and the key technique in its manufacture.
为了满足光电二极管列阵不同类型的应用需要，新研制了 ＣＬ５１２Ｊ型光电二极管列 阵传感器。
5) InGaAs APD
InGaAs雪崩光电二极管
1.
The chip of the four-quadrant InGaAs APD in this paper is designed in a frontal incident planar structure and its material part is an SAGM APD.
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。
6) photodiode array detection
光电二极管阵列检测
1.
Determination of aromatic hydrocarbon types in diesel oil using high performance liquid chromatography with photodiode array detection;
高效液相色谱-光电二极管阵列检测法测定柴油中芳烃的类型
2.
A basic method based on liquid chromatography/photodiode array detection/mass spectrometry(LC/DAD/MS) techniques was established for the analysis of Chinese traditional medicines.
建立了基于液相色谱/光电二极管阵列检测/质谱(LC/DAD/MS)技术的中药分析基本方法。
补充资料：光电二极管
光电二极管
photodiode
g日ongd一on erJ一g目on光电二极管(photodiode)在两个半导体之间的PN结附近或半导体与金属之间的接触面附近吸收辐射，而引起与电流方向相应的电阻或电压的变化的光电半导体器件。它是结型器件，用硅或锗作材料采用平面型结构制成。光谱范围:硅光电二极管为。.6一1拜m;锗光电二极管为0.5一1.7拜m。用作光电导器件┌─────────────────────┐│ │├─────────────────────┤│ │├─────────────────────┤│ 1 ││ 门│└─────────────────────┘兰图1光电二极管特性时其PN结须反向偏置，光照激发所产生的载流子形成反向电流。其输出电流为拜A级，与光照强度成正比，灵敏度典型值是0.1拜A/Lxo图1是其特性曲线，图形符号如图2所示。光电二极管常用于光信息的检测和激光信号的解调。 光电二极管包括PN结型、PIN型、雪崩型等类型。 PN结型(PD)图3为其结构示意图。当PN结受到能量大于禁带宽度的光照时，价带中的电子吸收光能后跃迁到导带成为自由电子，伺时在价带中留下空穴，这些电子和空穴即为光生载流子。在结电场作用下，耗尽区的光生载流子分别向P区和N区扩散，使P区过剩空穴、N区多电子，建立起P正N负图2光电二极管图形符 号的电场，阻止载流子的继续扩散。当受光照的光电二极┌──┐│ N │└──┘图3光电二极管的结构管加反向电压后，在内外两电场共同作用下，光生载流子参与导电，从而形成了反向的电流。它随人射光的强度变化而改变一，使光信号变成电流信号，响应时间为10一75。不受光照时PN结反向漏电流则为暗电流。根据衬底材料的不同光电二极管分为ZDU和ZCU两种型号。ZDU是以P型硅为衬底，设有一个环极，使用时其电位始终保持高于光电二极管的负极电位，以减少暗电流和噪声(图4)。ZcU是以N型硅为衬┌───┬───┐│L处 │岁 ││丁Ucc │环极! ││厂 │ │└───┴───┘图4 ZDU型管电路底，不需设置环极，只有两个引出线。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条