1) improved method of nonlinear term reserved arithmetic
改进保留非线性法
2) retaining-nonlinearity
保留非线性
1.
Application of general Tellegen's theorem in retaining-nonlinearity power flow calculation based on current-influx model
广义Tellegen定理在保留非线性电流注入型潮流计算中的应用
2.
The retaining-nonlinearity algorithm was presented in order to ameliorate the limitation left by Newton-Raphson who dealt with morbidity condition,and thus improved the astringency.
保留非线性潮流算法是为了改进牛顿法在处理病态条件时的缺陷,提高收敛性能而提出的。
3) preserving nonlinear flow algorithm
保留非线性潮流法
1.
Based on this,the critical voltage and the critical energy value of load node before and after compensation are successfully computed through adopting the preserving nonlinear flow algorithm(PNFA) integrating the optimal multiplier.
在此基础上,通过引入优化乘子的保留非线性潮流法(preserving nonlinear flow algorithm,PNFA)计算得到的系统各负荷节点临界电压来求取其补偿前后的临界能量值,然后根据各临界能量值得到补偿前后系统的无功裕度,并分析电容器并联补偿对系统电压稳定的影响及补偿前后无功负荷比例增长时各节点电压相角、负荷节点需耗能量值的变化趋势。
4) nonlinear revision
非线性改进
1.
With a view to the computation of design flood with instantaneous unit hydrograph,the applied condition of confluent parameter m_1 for nonlinear revision and the selection of critical rainfall intensity parameter in the revision formula are researched.
针对瞬时单位线计算设计洪水过程中,对单位线汇流参数m1进行非线性改进的运用条件和改进公式中采用的临界雨强等参数的取值等进行探讨。
5) the improved power flow method of nonlinear term
改进非线性潮流算法
6) improved nonlinear least squares
改进非线性最小二乘法
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条