1) thermochemical deposition
热化学沉积
2) thermal chemical vapor deposition(TCVD)
热化学气相沉积
3) chemical pyrolysis deposition
化学热解沉积
1.
CdS solid thin films were prepared on the substrates of slide glass or ITO coated glass by using chemical pyrolysis deposition technique(CPD) at different deposition temperature from 350 to 540℃ during film growth.
在 4 0 0℃化学热解沉积的CdS薄膜经高于 5 0 0℃的后热处理也可获得纤锌矿相 。
4) electroless deposition
化学沉积
1.
Study of nanocrystalline Co-P alloy electroless deposition and its influencing factors on deposition rate;
化学沉积纳米晶Co-P合金及其沉积速率影响因素的研究
2.
Study on preparation of Ni-P-SiC(C) composite coatings by electroless deposition;
化学沉积法制备Ni-P-SiC(C)复合镀层的研究
3.
Effect of rare earth element on electroless deposition of cobalt-nickel-boron alloy;
稀土元素对钴-镍-硼合金化学沉积的影响
5) electroless plating
化学沉积
1.
Impact of electroplate and electroless plating on nano-Co-B alloy functional film;
Co-B纳米合金功能膜化学沉积和电沉积的比较
2.
Test study on electroless plating of Ni-W-P/Ni-P alloys;
Ni-W-P/Ni-P合金的化学沉积试验研究
3.
The Study on the Microstructure and Properties of Electroless Plating Multicompnent Cobalt Based Soft Magnetic Film with Rare Earth Joined;
化学沉积稀土多元钴基软磁薄膜结构和性能的研究
补充资料：热化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条